| 主权项 |
1.一种粗糙抛光一半导体晶圆以减少粗度及去除一晶圆表面上掺杂物辉纹之方法,该方法包含:a.在一第一抛光步骤中,使用一钠稳定胶质矾土浆及一含有胺加速剂与硷性蚀刻剂之第一抛光溶液以抛光半导体晶圆之一表面;b.在步骤(a)后,使用一钠稳定胶质矾土浆及一含有硷性蚀刻剂之第二抛光溶液以抛光半导体晶圆之表面,其中第二抛光溶液实质上无胺加速剂;及c.在步骤(b)后,使用一氨稳定胶质矾土浆及第二抛光溶液以抛光半导体晶圆之表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)、(b)、(c)系使用一抛光垫以执行于一抛光装置上。3.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括在以去离子水清洗晶圆后,施加一酸性溶液至晶圆之步骤,以冷却第二抛光溶液。4.如申请专利范围第3项之方法,其中酸性溶液含有一有机或无机酸及一聚醚多元醇。5.如申请专利范围第1项之方法,其中胺加速剂系选自以苯胺、二苯基胺、乙基胺、乙二胺、及三甲基胺组成之族群中。6.如申请专利范围第1项之方法,其中第一抛光溶液包含大约0.9%至2.0%胺加速剂。7.如申请专利范围第1项之方法,其中硷性蚀刻剂系选自以硷性氢氧化物及硷性盐组成之族群中。8.如申请专利范围第7项之方法,其中硷性氢氧化物系选自以氢氧化钾及氢氧化钠组成之族群中。9.如申请专利范围第7项之方法,其中硷性盐系选自以碳酸钾、碳酸钠及氯化钠组成之族群中。10.如申请专利范围第1项之方法,其中第一抛光溶液包含大约1%至3%硷性蚀刻剂。11.如申请专利范围第1项之方法,其中第二抛光溶液包含0.1重量百分比以下之胺加速剂。12.如申请专利范围第1项之方法,其中第二抛光溶液包含0.05重量百分比以下之胺加速剂。13.如申请专利范围第1项之方法,其中第二抛光溶液包含0.01重量百分比以下之胺加速剂。14.如申请专利范围第1项之方法,其中第二抛光溶液不包含胺加速剂。15.如申请专利范围第1项之方法,其中第二抛光溶液包含大约1%至3%硷性蚀刻剂。16.如申请专利范围第1项之方法,其中半导体晶圆系一单晶矽晶圆。17.如申请专利范围第1项之方法,其中表面粗度系降低至一大约1.6厘米2面积上不大于大约1毫微米Ra。18.如申请专利范围第1项之方法,其中表面粗度系降低至一大约1.6厘米2面积上不大于大约0.5毫微米Ra。19.如申请专利范围第1项之方法,其中表面粗度系降低至一大约1.6厘米2面积上不大于大约0.1毫微米Ra。20.如申请专利范围第1项之方法,其中掺杂物辉纹之振幅系降低至不大于大约10毫微米。21.如申请专利范围第1项之方法,其中掺杂物辉纹之振幅系降低至不大于大约7毫微米。22.如申请专利范围第1项之方法,其中掺杂物辉纹之振幅系降低至不大于大约5毫微米。23.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含细级抛光晶圆之步骤。24.如申请专利范围第23项之方法,其中晶圆系使用一含有氨稳定胶质矾土浆及硷性蚀刻剂之细级抛光溶液以抛光之,其中该细级抛光溶液实质上无胺加速剂。25.如申请专利范围第23项之方法,其中表面粗度系降低至一大约1.6厘米2面积上不大于大约0.1毫微米Ra。26.如申请专利范围第23项之方法,其中表面粗度系降低至一大约1.6厘米2面积上不大于大约0.05毫微米Ra。图式简单说明:图1(a)简示一晶圆之截面图,其中前及背侧表面为理想之平坦表面。图1(b)简示一具有表面粗度之晶圆截面图。图1(c)简示一具有掺杂物辉纹之晶圆之截面图。图2揭示利用乙二胺加速剂抛光之一P+型矽晶圆之一魔术镜检查工具所生之影像,其呈现掺杂物辉纹。图3揭示利用本发明方法抛光之一P+型矽晶圆之一魔术镜检查工具所生之影像,其未呈现掺杂物辉纹。图4揭示取自本发明抛光方法之表面瑕疵及产量与取自习知抛光者之间之比较情形。 |
