| 摘要 |
<p>본 발명은 리페어 효율을 향상시키기 위한 로우 리던던시 회로에 관한 것으로, 노멀 워드라인을 리페어하기 위한 리던던트 워드라인을 포함하는 셀 어레이들을 구동하기 위한 반도체 메모리 회로에 있어서, 제 1 내지 제 2 입력 어드레스 및 프리차지 신호에 따라서 제 1 신호 및 제 2 신호를 출력하는 복수개의 퓨즈 회로와; 상기 퓨즈 회로의 제 1 그룹의 제 1 신호들을 입력으로 하는 제 1 조합회로와; 상기 퓨즈 회로의 제 1 그룹의 제 2 신호들을 입력으로 하는 제 2 조합회로와; 상기 퓨즈 회로의 제 2 그룹의 제 1 신호들을 입력으로 하는 제 3 조합회로와; 상기 퓨즈 회로의 제 2 그룹의 제 2 신호들을 입력으로 하는 제 4 조합회로와; 상기 제 1 내지 제 4 조합회로의 출력 신호들이 각각 인가되는 제 1 내지 제 4 버스라인과; 상기 제 1 내지 제 4 버스라인들의 신호를 입력으로 하는 제 5 내지 제 8 조합회로들과; 상기 셀 어레이들에 대응하여 형성되며 상기 제 1 입력 어드레스와 프리차지 신호 그리고 각각 대응되어지는 제 5 내지 제 8 조합회로의 출력 신호를 입력으로 하여 노멀 워드라인을 구동하기 위한 신호를 출력하는 제 1 내지 제 4 노멀 워드라인 구동부와; 상기 제 2 입력 어드레스와 프리차지 신호 그리고 각각 대응되어지는 상기 제 1 내지 제 4 버스라인 신호를 입력으로 하여 리던던트 워드라인을 구동하기 위한 신호를 출력하는 리던던트 워드라인 구동회로를 포함하여 구성된다.</p> |
