发明名称 摄影装置
摘要 光感应区域包含有:半导体基板40,由P型半导体构成;和N型半导体区域41、42、43,形成在该半导体基板40之表面。利用此种方式,第1光感应部份成为包含有半导体基板40部份和半导体区域41,用来构成光电二极体。第2光感应部份所含之一方之光感应部份成为含有半导体基板40部份和半导体区域42,同样的用来构成光电二极体。另外,第2光感应部份所含之另外一方之光感应部份成为包含有半导体基板40和半导体区域43,同样的用来构成光电二极体。半导体区域42、43从光射入方向看呈现近似三角形状,在1个图素形成2个区域42、43使其一边互相邻接。
申请公布号 TW200301569 申请公布日期 2003.07.01
申请号 TW091136492 申请日期 2002.12.18
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 杉山行信;丰田晴义;向直久
分类号 H01L31/00 主分类号 H01L31/00
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本