半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种以简易制程可实现希望电容的DRAM的半导体装置及其制造方法。在记忆体区域设有记忆胞电晶体和沟渠型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各电晶体。设有位元线接点31和延伸于层间绝缘膜30上的位元线31。在记忆胞电晶体，源极扩散层18为两个绝缘膜侧壁25a、25b所覆盖，矽化物层未形成于源极扩散层18上。此外，设有贯通层间绝缘膜30而连接屏蔽线33和板极16b的板极接点31，此屏蔽线33设于和位元线32相同配线层。