| 摘要 |
本发明系为一于一晶圆轨道系统内用以实施半导体晶圆处理之电浆室。该处理室能于一晶圆轨道单位内被组构成一热堆叠模组，以使一半导体晶圆表面曝露至一处理电浆。能使一喷气头电极及晶圆吸盘组合物置于该处理室内，以施行该半导体晶圆之电浆增强处理。各类型之供气源能与该喷气头电极液体通连，以提供一具形成所需电浆之气体混合物。该等气体之流动能藉由一控制器及一系列气控阀而被调节，以形成并使被曝露至该半导体晶圆表面之被预选气体混合物以电浆方式引入至该处理室内。该被预选之气体混合物能针对诸如表面底材处理及底部抗反射层(BARC)沉积之不同半导体晶圆处理作业被调配。 |
