于低温及减少之沈积速率下形成四乙基醇氧化矽( TEOS)盖层之方法

摘要

本发明揭示一种用于碳硬遮单层之二氧化矽盖层之形成方法，其中，该碳硬遮罩层系用于图样化具有50奈米及更少之临界尺寸的多晶层特征。为此目的而使用低温电浆增强CVD制程，在该低温电浆增强CVD制程中系保持低沈积速率以改善层厚度之可控制性，从而改善二氧化矽层之光学特性。