| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备: 具有主表面、背面和四个侧面的基板;和 形成于上述基板之主表面的半导体元件;和 形成于上述基板侧面之至少一个底部的缺口;和 设置于上述缺口侧面和上述基板背面相交叉之部 位的曲面。 2.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,复具备形成于上述基板背面的导电膜或绝缘膜。 3.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,复具备黏贴于上述基板背面侧的黏接膜。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项所记载之半导 体装置,其中,上述缺口乃具有大致平行于上述基 板主表面的顶面,且以上述缺口的上述侧面与上述 顶面大致垂直之方式形成。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项所记载之半导 体装置,其中,上述缺口是以上述缺口之上述侧面 和上述基板之上述背面相交成钝角的方式,形成倾 斜状。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项所记载之半导 体装置,其中,上述缺口是藉由机械加工、或化学 加工、或化学机械加工形成者。 7.如申请专利范围第1至3项中任一项所记载之半导 体装置,其中,上述曲面是以具有约0.5m至约50m 之曲率半径的方式设置。 8.如申请专利范围第1至3项中任一项所记载之半导 体装置,其中,上述曲面是以避免变曲点形成之方 式设置。 9.如申请专利范围第1至3项中任一项所记载之半导 体装置,其中,上述基板背面的面积小于上述基板 主表面的面积。 10.一种半导体装置的制造方法,其特征为具备下列 步骤: 在主表面形成有半导体元件的半导体晶圆背面,沿 着切割线,形成深度对应于最后晶片厚度之沟的步 骤;和 将上述半导体晶圆,从上述背面侧进行研磨至上述 沟残留之程度的研磨步骤;和 沿着上述切割线,将上述半导体晶圆,从其主表面 侧切削,以将上述半导体晶圆单片化成晶片的单片 化步骤。 11.如申请专利范围第10项所记载之半导体装置的 制造方法,其中,复具备:形成上述沟的步骤前,先将 上述半导体晶圆从上述背面侧研磨至预定厚度的 前处理步骤。 12.如申请专利范围第10或11项所记载之半导体装置 的制造方法,其中,复具备:在上述研磨步骤和上述 单片化步骤之间,于上述半导体晶圆的上述背面黏 贴黏接膜的步骤。 13.如申请专利范围第10或11项所记载之半导体装置 的制造方法,其中,复具备:在上述研磨步骤和上述 单片化步骤之间,于上述半导体晶圆的上述背面形 成导电膜或绝缘膜的步骤。 14.如申请专利范围第10或11项所记载之半导体装置 的制造方法,其中,在上述研磨步骤中,上述半导体 晶圆是以具有曲率半径约0.5m至约50m之曲面的 方式进行研磨。 15.如申请专利范围第14项所记载之半导体装置的 制造方法,其中,上述曲面是以避免变曲点发生之 方式形成。 16.如申请专利范围第10或11项所记载之半导体装置 的制造方法,其中,上述沟是以具有与上述半导体 晶圆之上述主表面、或上述背面大致垂直之侧面 的方式形成。 17.如申请专利范围第10或11项所记载之半导体装置 的制造方法,其中,上述沟是以具有大致V字形剖面 形状的方式形成。 18.如申请专利范围第10或11项所记载之半导体装置 的制造方法,其中,上述半导体晶圆是藉由机械加 工、或化学加工、或化学机械加工进行研磨。 图式简单说明: 第1图是本发明半导体装置之第1实施型态的斜视 图。 第2图是第1图所示之半导体晶片曲面之曲率半径 合适的数値范围的说明图。 第3图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第4图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第5图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第6图是形成于半导体晶圆背面侧之沟的其他例的 剖面图。 第7图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第8图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第9图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第10图是第l图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第11图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第12图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第13图是第1图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第14图是更具体地表示第1图所示之半导体晶片重 要部位的侧面图。 第15图是从第13图的箭头方向,拍摄第13图中已单片 化之半导体晶圆的照片例图。 第16图是从第1图的箭头方向,拍摄第1图所示之半 导体晶片的照片例图。 第17图是将第1图所示之半导体晶片的抗折强度和 不良累积发生率的关系,与习知例作对照的曲线图 。 第18图是本发明半导体装置之第2实施型态的斜视 图。 第19图是第18图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第20图是第18图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第21图是第18图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第22图是第18图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第23图是更具体地表示第18图所示之半导体晶片重 要部位的侧面图。 第24图是本发明半导体装置之第3实施型态的斜视 图。 第25图是第24图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第26图是第24图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第27图是第24图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第28图是第24图所示之半导体晶片之制造方法的说 明图。 第29图是更具体地表示第1图所示之半导体晶片重 要部位的侧面图。 第30图是根据习知技术之切割加工方法例的说明 图。 第31图是根据习知技术之切割加工方法例的说明 图。 第32图是根据习知技术之切割加工方法例的说明 图。 第33图是根据习知技术之切割加工方法例的说明 图。 第34图是根据习知技术之切割加工方法例的说明 图。 第35图是藉由第30图至第34图所示之加工方法而制 成的半导体晶片例的斜视图。 第36图是从第34图之箭头所拍摄之半导体晶圆的照 片例图。 第37图是从第35图之箭头所拍摄之半导体晶片的照 片例图。 第38图是从与第36图相同的方向,拍摄第2习知例之 半导体晶圆的照片例图。 第39图是从与第37图相同的方向,拍摄第2习知例之 半导体晶片的照片例图。 |
