| 发明名称 | 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件；步骤S2：在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜；步骤S3：对所述无膜质保护之区域所生长的致密性氧化物薄膜进行膜层厚度监测。本发明通过利用晶边刻蚀技术，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，并在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用所述生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜，不仅有效阻隔金属离子扩散污染，而且保证工艺稳定，提高产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106098538A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610693426.9 | 申请日期 | 2016.08.19 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 唐在峰;吕煜坤;任昱;许进 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，其特征在于，所述降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：执行步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件；执行步骤S2：在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||