| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置,其包括: 具第一传导型之半导体基质; 构成在该半导体基质上面之闸极 ; 具第二传导型之两个半导体区, 其构成在该闸极约两侧上面之该半导 体基质中,该两个半导体区做为源极 区及汲极区;及 用来将电压施至该闸极与该两个 半导体区之耦合装置; 其中载体系从相对于该闸极,具 有大电位差之两个半导体区之一注入 该闸极内。2.一种依据请求专利部分第1.项的半导 体记忆装置,其中该两个半导体区之 一做为源极区。3.一种依据请求专利部分第1.项的 半导 体记忆装置,其中该闸极包括第一闸 极以及构成在该第一闸极上面之第二 闸极,其中该载体保注入该第一闸极 ,一电压从该施电压装置施至该第二 闸极。4.一种半导体记忆装置,其包括: 具第一传导型之半导体基质; 构成在该半导体基质上面之第一 绝缘膜上面的第一闸极; 构成在该第一闸极上之第二绝缘 膜上面的第二闸极;及 具第二传导型之源极区与汲极区 ,其系构成在该第一与第二闸极的两 侧上面之该半导体基质中,该源极区 至少系由毗邻至该闸极且具有低杂质 浓度之第一部分以及远离该闸极且具 有高杂质浓度之第二部分所组成; 其中载体系从该源极区的第一部 分注入该第一闸极中。5.一种依据请求专利部分 第4.项之半导 体记忆装置,其中该第一部分中的杂 质浓度范围系由l Xl0 16至l X 10 17 原子数/ 立方公分。6.一种依据请求专利部分 第5.项的半导 体记忆装置,其中该第二部分中的杂 质浓度范围系由l Xl0 20 至l X l0 21 原子数/ 立方公分。7.一种依据请求专利部分 第4.的半导体 记忆装置,其中该第一与第二传导型 分别为p 型与n 型。8.一种依据请求专利部分第4. 项的半导 体记忆装置,其中该第一部分仅构成 在该源极区内。9.一种依据请求专利部分第8.项的 半导 体记忆装置,其中该源极区的第二部 分与该汲极区具有相同杂质浓度。10.一种依据请 求专利部分第4.项的半导 体记忆装置,还包括构成在至少该闸 极约两个侧壁之一上面之绝缘膜,其 中该第一部分由该第一闸极定界限, 该第二部分由该闸极与侧壁上之绝缘 膜定界限。11.一种依据请求专利部分第10.项的半 导 体记忆装置,其中该第一部分比该第 二部分浅。12.一种依据请求专利部分第10.项之半 导 体记忆装置,其中该第一部分仅构成 在该源极区内。13.一种依据请求专利部分第12.项 的半导 体记忆装置,其中该侧壁的绝缘膜仅 构成在该闸极的源极侧上。14.一种依据请求专利 部分第4.项的半导 体记忆装置,其中该源极侧上面之该 第一绝缘膜部分比另一部分薄。15.一种半导体记 忆装置,其包括: 具第一传导型之半导体基质; 成列地构成在该半导体基质中之 字组线; 成行地构成在该半导体基质中之 资料线; 在该字组线与该资料线的交叉点 中提供的记忆单元,该每个记忆单元 包括构成在该半导体基质上之浮动闸 极,构成在该浮动闸极上之控制闸极, 以及具第二传导型且构成在闸极约两 边上之该半导体基质内的源极区与汲 极区,该控制闸极与该汲极分别连接 至该字组线与该资料线; 其中至少该派极区系包括毗邻至 该闸极且具有低杂基浓度之第一部分 以及远离该闸极且具有高杂质浓度之 第二部分,其中载体从该源极区的第 一部分中注入该浮动闸极内。16.一种依据请求专 利部分第15.项的半导 体记忆装置,其中该源极区仅具有该 第一与第二部分。17.一种依据请求专利部分第16. 项之半导 体记忆装置,还包括构成在该闸极的 源极侧上面之侧壁上的绝缘膜,其中 该第一部分由该闸极定界限,该第二 部分由该闸极与侧壁上之绝缘膜定界 限,该侧壁上之绝缘膜系提供用在当 作一单元构造之多个记忆单元。 |
