发明名称 Electronic switch.
摘要 Der Schalter hat zwei in Reihe geschaltete einander komplementäre MOSFET (1, 6), die drainseitig miteinander verbunden sind. Der Gateanschluß des an Masse liegenden MOSFET (1) liegt an einer Steuereingangsklemme (E) und ist mit dem Sourceanschluß eines Depletion-FET (7) verbunden. Der Drainanschluß des Depletion-FET (7) ist mit dem Gateanschluß des zweiten MOSFET (6) verbunden und liegt über einen Widerstand (8) an einem Pol der Spannung (+U). Der Gateanschluß des Depletion-FET liegt an Masse. Die Last (5) wird an die Drainseiten der komplementären MOSFET angeschlossen. Damit fließt bei gesperrtem Schalter kein Querstrom; der an der Spannung liegende FET kann außerdem vollständig aufgesteuert werden.
申请公布号 EP0205158(A1) 申请公布日期 1986.12.17
申请号 EP19860107922 申请日期 1986.06.10
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 EINZINGER, JOSEF, DIPL.-ING.;FELLINGER, CHRISTINE;LEIPOLD, LUDWIG, DIPL.-ING.;TIHANYI, JENO, DR.;WEBER, ROLAND, DIPL.-ING.
分类号 H03K17/687;H03K19/0944;H03K19/0948;(IPC1-7):H03K19/094 主分类号 H03K17/687
代理机构 代理人
主权项
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