| 主权项 |
1.一可扩容量的唯读记忆体模组,包含:(a)一具有预定位址线的唯读记忆体介面;(b)一可变容量的记忆体阵列,该记忆体阵列分割成T页相同容量的子阵列,其中T为正整数;(c)一储存分页资料的暂时储存装置,该分页资料配合该位址线的输入用来选择该记忆体阵列中的特定页;(d)一"转读为写"装置,其用以将该分页资料写入前的暂时储存装置。2.根据申请专利范围第1项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该记忆体阵列是由多个特定容量的唯读记忆体晶片组成。3.根据申请专利范围第2项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该唯读记忆体晶片至少有两个以上有不同容量。4.根据申请专利范围第1项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该唯读记忆体介面具有1条位址线,1为正整数,且分页大小相当于各唯读记忆体晶片容量和2的最小値。5.根据申请专利范围第3项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该分页大小为2,P小于或等于1。6.根据申请专利范围第5项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该暂时储存装置是由一个T-bit的分页选择暂存器和一个T个单元的映射阵列组成,且各映射阵列的单元为(1-P)bit。7.根据申请专利范围第5项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该转读为写装置包含直接不分段的步骤,经由其可透过位址线将分页资料在一个步骤中写入分页选择暂存器和/或映射阵列。8.根据申请专利范围第5项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该转读为写装置包含直接但分段步骤,经由其可透过位址线将分页资料经几次步骤依序写入分页选择暂存器和/或映射阵列。9.根据申请专利范围第5项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该转读为写装置包含一间接步骤,经由其可先将索引资料写入索引暂存,再配合索引暂存器的解码,透过位址线将分页资料不分段/分段写入分页选暂存器和/或映射阵列。10.根据申请专利范围第5项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该转读为写装置包含多重间接步骤,至少具有两个以上的索引存器,其可透过位址线以及多重索引暂存器将分页资料入不分页选择暂存器/或映射阵列。11.根据申请专利范围第1项的可扩充容量唯读记忆体模组,其中,该暂时储存装置包含闩锁或正反器,且该转读为写装置包括将分页资料写入该暂时储存装置的步骤。12.一用以扩充唯读记忆体容量的方法,该唯读记忆体具特定位址线数目且不接受写入信号,该方法包含步骤:(a)提供一以闩锁或正反器所成的暂时储存装置;(b)藉着增加一个或多个新的ROM或加大暨存ROM的容量来扩充该ROM模组的记忆体容量,以提供一具扩充记忆体容量的扩充的ROM;(c)将该扩充的记忆体容量分割成多个页;(d)对每一页设定分页位址码,每一个分页位址码分成两个部份,第一部份的分页位址码产生触发信号将第二部份的分页位址码当作分页资料写入该暂时储存装置;及(e)将分页位址输入送到暂时储存装置的分页定址。13.根据申请专利范围第12项的可扩充唯读记忆体容量之方法,其中该扩充容量的ROM模组至少有两个不同记忆体容量的ROM晶片。14.根据申请专利范围第12项的扩充唯读记忆体容量之方法,其具有1条位址线以及总共T页,每一页的大小为2,其中该暂时储存装置包含分页选择暂存器及映射阵列,该分页选择暂存器为T-bit的暂存器,且该映射阵列具有T个(T-P)bit的单元15.根据申请专利范围第13项的扩充唯读记忆体容量之方法,其中I大于P,且该分页定址装置包含以单一步骤传送一选定的分页组态的步骤。16.根据申请专利范围第13项的扩充唯读记忆体容量之方法,其中I大于P,且该分页定址装置包含以数个步骤传送一选定的分页组态的步骤。17.根据申请专利范围第13项的扩充唯读记忆体容量之方法,其中I于P,且该分页定址装置包含下列步骤;(a)提供一个索引暂存器,其与该映射阵列连接;(b)将相关的解码位址送入索引暂存器;且(c)配合索引暂存器的解码,将分页组态送入该映射阵列。18.根据申请专利范围第14项的可扩充唯读记忆体之方法,其中I大于P且该分页定址装置包含下列步骤:(a)提供数个索引暂存器依序串列连接到该映射阵列;(b)依序将相关的解码位址送入所有的索引暂存器;(c)最后配合多重索引暂存器的解码,将分页组态送入映射阵列。图一为本发明可扩充容量的ROM模组(ExRM)的示意图;图二为以分页来表示的ExRM的示意图;图三为T-bit分页选择暂存器(PSR)的表示图,T为ExRM的总页数;图四为(I-P)-bit映射阵列(MA)的表示图,其中I为输入位址线的数目,P则为分页大小(page size)取2的对数;图五为ExRM内选线路的示意图;图六A表示一种system page和ExRM page分页组态的例子;图六B和图六C表示两种不同systempage和ExRM page的映射组态;图七为直接convert-read-to-write方法的说明图;图八为直接分段convert-read-to-write方法的说明图;图九为间接分段convert-read-to-write方法的说明图;图十表示IR的direct convert-read-to-write,但相对ExRM而言为indirectconvert-read-to-write;图十一表示IR的indirect segmenteclconvert-read-to-write,但相对ExRM而言为multipleindirect segmented convert-read-to-write;图十二为ExRM一个具体化的实作例子;图十三A说明如何将ExRM的内容搬到连续DRAM的位址去执行;图十三B说明直接在ROM |
