| 主权项 |
1. 一种半导体装置,包含:一个与一接线基体连接的半导体晶片,此晶片厚度在0.3mm以下,并在其周边部份设有多个电极;接线基体具有与半导体晶片之电极对应的多个电极;以及一个存在于半导体晶片和接线基体之间的黏着层,所述半导体晶片和接线基体至少其一之电极从一绝缘平面突出,且在连接后之半导体晶片周边部份的电极所围绕的区域中存在有多个分隔元件,其高度约与突出电极同高,且其形状由平面图视之时呈圆形或多边形。2. 如申请专利范围第1项之装置,其中所述分隔元件之形状由上方视之至少为三角形、L形、半圆形与U形之一,且分隔元件系安排成使其各角及/或封闭边朝向连接区域的中心。3. 如申请专利范围第1项之装置,其中所述分隔元件系安排成相对于连接区域之中心呈对称。4. 如申请专利范围第1项之装置,其中所述黏着层含有于受压时仅在厚度方向上达成导电的导电粒子,且于必要时可进一步包含直径小于导电粒子而硬度大于导电粒子的粒子。5. 如申请专利范围第1项之装置,其中所述分隔元件系安排成从连接区域之中心呈辐射状分布。6. 如申请专利范围第1项之装置,其中仅有接线基体具有突出电极与虚设电极。7. 如申请专利范围第1项之装置,其中仅有半导体晶片具有突出电极与分隔元件。8. 如申请专利范围第1项之装置,其中接线基体与半导体晶片二者皆具有突出电极与分隔元件。9. 如申请专利范围第1项之装置,其中接线基体或半导体晶片之一具有突出电极,另一者具有分隔元件。10.一种接线基体,包含:一个基体;多个电极,形成在基体上而对应于欲与基体连接之半导体晶片周边部份上的电极;以及多个分隔元件,形成在基体上电极所围绕的区域中,其高度约与突出电极同高,且其形状由上方视之时呈圆形或多边形。11. 如申请专利范围第10项之接线基体,其中分隔元件之高度约与基体上之突出电极同高,或约与半导体晶片上之突出电极同高。12. 如申请专利范围第10项之接线基体,其中所述分隔元件之形状由上方视之至少为三角形、L形、半圆形与U形之一,且分隔元件系安排成使其各角及/或封闭边朝向连接区域的中心。13. 如申请专利范围第10项之接线基体,其中所述分隔元件系安排成相对于连接区域之中心呈对称。14. 如申请专利范围第10项之接线基体,其中所述分隔元件系安排成从连接区域之中心呈辐射状分布。15.一种电连接结构,其制造方法为:在包含一基体的接线基体上安置含有导电粒子的异向性导电黏着剂,在基体上形成有电路,电路中具有电极,而在突出电极所围绕的区域中设有多个分隔元件,分隔元件的高度约与突出电极同高,且其形状由上方视之呈圆形或多边形;安置一个包含支持物、形成在支持物上之电极、与形成在电极上之绝缘层的半导体晶片,而在与接线基体上突出电极对应的预定位置上暴露出电极,以使晶片之暴露电极面向接线基体的突出电极,之后在加热下或无加热下施压。16.一种电连接结构,其制造方法为:在包含一基体的接线基体上安置含有导电粒子的异向性导电黏着剂,在基体上形成有电路,电路中具有电极,而在电极所围绕的区域中设有多个分隔元件,分隔元件的形状由上方视之呈圆形或多边形,且其高度约与半导体晶片上的突出电极同高;所述半导体晶片包含支持物、形成在支持物上之电极、与形成在电极上之绝缘层,而在与接线基体上电极对应的预定位置上暴露出突出电极,并将半导体安置成使晶片之突出电极面向接线基体的电极,之后在加热下或无加热下施压。图示简单说明:图1为依据本发明一实施例之半导体装置的示意剖面图;图2为依据本发明另一实施例之半导体装置的示意剖面图;图3为依据本发明再一实施例之半导体装置的示意剖面图;图4为依据本发明又另一实施例之半导体装置的示意剖面图;图5A至5D为与接线基体连接之虚设电极的平面图;图6A至6F为依据本发明实施例之虚设电极的平面图;图7A至7E为依据本发明实施例之虚设电极的示意剖面图;图8A至8E为可应用于本发明中之各种黏着层的剖面图;而图9为依据本发明又另一实施例之半导体装置的示意剖面 |
