| 主权项 |
1.一种处理装置,系从与被处理基板对向设置之瓦斯供给装置,对固定于处理容器内之被处理基板供给处理瓦斯,进行处理,其特征在于:该瓦斯供给装置,系设于瓦斯供给管之前端部,且具有在其横断面积朝向前端呈逐渐缩小之楔形中空构件上,沿着长度方向,形成多数瓦斯吹出孔之瓦斯吹出部;该呈楔形之中空构件,楔形之跟前侧端面之一边长度约为其前端面之一边长度的3倍,且楔形之全长约为前端面之一边长度的50倍。2.如申请专利范围第1项之处理装置,系与被处理基板对向设置之瓦斯供给装置,对固定于处理容器内之被处理基板供给处理瓦斯进行处理,其中更进一步设有:缓冲板,系介于该瓦斯吹出部与被处理基板之间,而形成对向之多数通气孔;及,区分构件,系设成包围该瓦斯吹出部。3.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,该被处理基板之被处理面系向下。4.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,该被处理基板之被处理面系向上。5.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,该被处理基板系玻璃基板。6.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,该被处理基板系半导体晶圆。7.一种处理装置,系对固定于处理容器内之被处理基板供给处理瓦斯,并进行处理之处理装置,其特征在于包含:第1瓦斯供给装置,系设于紧临被处理基板之被处理面之领域的侧方,而沿着被处理面供给处理瓦斯;第2瓦斯供给装置,系设于瓦斯供给管之前端部,且具有在其横断面积朝向前端呈逐渐缩小之楔形中空构件上,沿着长度方向,形成多数瓦斯吹出孔之瓦斯吹出部;又,该呈楔形之中空构件,楔形之跟前侧端面之一边长度约为其前端面之一边长度的3倍,且楔形之全长约为前端面之一边长度的50倍;又,设有与该被处理基板之被处理面对向设置之瓦斯供给口;排气装置,系隔着紧临被处理面之领域,与该第1瓦斯供给装置对向设置排气口。8.如申请专利范围第7项之处理装置,其中,该第2瓦斯供给装置,系设于瓦斯供给管之前端部,且包含:瓦斯吹出部,系在其横断面积朝向前端呈逐渐缩小之中空构件上,沿着长度方向,形成多数瓦斯吹出孔;及,区分构件,系包围缓冲板及该瓦斯吹出部,该缓冲板系在该瓦斯吹出部与被处理基板之间,隔着空间形成对向之多数通气孔。9.如申请专利范围第1或7项之处理装置,其中,该瓦斯吹出孔之孔径大小,系为1.0mm-0.5mm者。图式简单说明:第一图系本发明的被处理基板的处理装置之第1实施例纵断面图;第二图系第一图所示处理装置的被处理基板(玻璃基板)的固定处理部之侧视图;第三图系第一图所示处理装置的注入器和缓冲板的分解侧视图;第四图系第一图所示处理装置的被处理基板(半导体晶圆)的固定处理部的平面图;第五图系表示在注入器内部之压力分布的图表;第六图系本发明的处理装置之第2实施例纵断面图;第七图系第六图所示处理装置之瓦斯供给装置侧视图;第八图系第六图所示处理装置的处理瓦斯的流向说明图;第九图系习知处理装置的瓦斯供给部(注入器)的侧视图。 |
