| 主权项 |
1.一种金属矽化物闸极的制造方法,该制造方法至少包括:提供一基底,在该基底上依序形成一闸极氧化物层与一复晶矽层;在该复晶矽层上形成一毯覆式第一金属矽化物层;定义该第一金属矽化物层、复晶矽层与该闸极氧化物层,形成一金属矽化物闸极结构;在该金属矽化物闸极结构侧边之该基底上形成一源/汲极区与在该金属矽化物闸极结构侧边形成一绝缘间隙壁;以及在该源/汲极区之该基底上形成一第二金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述金属矽化物闸极的制造方法,在该复晶矽层上形成一第一金属矽化物层更包括在该复晶矽层上形成一第一金属层;以及对该基底进行一高温制程,而在该复晶矽层上形成一第一金属矽化物层。3.如申请专利范围第1项所述金属矽化物闸极的制造方法,在该源/汲极区之该基底上形成一第二金属矽化物层更包括在该基底上形成一第二金属层;以及对该基底进行一高温制程,而在该源/汲极区之该基底上形成一第二金属矽化物层。4.如申请专利范围第1项所述金属矽化物闸极的制造方法,其中该第一金属矽化物之形成温度约为600℃。5.如申请专利范围第1项所述金属矽化物闸极的制造方法,其中该高温制程包括回火。6.如申请专利范围第1项所述金属矽化物闸极的制造方法,其中在该金属矽化物闸极结构侧边之该基底上形成一源/汲极区与在该金属矽化物闸极结构侧边形成一绝缘间隙壁包括对该基底进行一离子植入步骤,在该金属矽化物闸极结构侧边之该基底上形成该源/汲极区;对该基底形成一绝缘层;以及回蚀刻该绝缘层,暴露出该金属矽化物层,在该金属矽化物闸极结构侧边形成一绝缘间隙壁。7.一种金属矽化物闸极的制造方法,该制造方法至少包括:提供一基底,在该基底上依序形成一闸极氧化物层与一复晶矽层;在该复晶矽层上形成一第一金属层;在该第一复晶矽层上形成一第一金属矽化物层;定义该第一金属矽化物层、复晶矽层与该闸极氧化物层,形成一金属矽化物闸极结构;在该金属矽化物闸极结构侧边之该基底上形成一源/汲极区;在该金属矽化物闸极结构侧边一绝缘间隙壁;对该基底形成一第二金属层;以及在该源/汲极区之该基底上形成一第二金属矽化物层。8.如申请专利范围第7项所述金属矽化物闸极的制造方法,在该第一复晶矽层上形成一第一金属矽化物层更包括对该第一金属层进行一高温制程而形成该第一金属矽化物层。9.如申请专利范围第7项所述金属矽化物闸极的制造方法,在该源/汲极区之该基底上形成一第二金属矽化物层更包括对该第二金属层进行一高温制程而形成该第二金属矽化物层。10.如申请专利范围第7项所述金属矽化物闸极的制造方法,其中在该金属矽化物闸极结构侧边形成一绝缘间隙壁包括对该基底形成一绝缘层;以及回蚀刻该绝缘层,暴露出该第一金属矽化物层,在该金属矽化物闸极结构侧边形成一绝缘间隙壁。11.如申请专利范围第7项所述金属矽化物闸极的制造方法,其中在形成该第一金属矽化物层后更包括去除未反应之该第一金属层与其他不必要的产物。12.如申请专利范围第7项所述金属矽化物闸极的制造方法,其中在形成该第二金属矽化物层后更包括去除未反应之该第二金属层与其他不必要的产物。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示一种习知金属矽化物闸极结构的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图E系显示根据本发明较佳实施例之金属矽化物闸极结构之制造流程剖面图。 |
