发明名称 可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器
摘要 一种可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器,当在输入模式且输入输出垫之输入电压由高降为低时,利用一个N型电晶体导通,使一个P型电晶体导通,来直接提供电源电压给浮动N井,以避免锁住现象。当在输出模式时,再利用另一个N型电晶体导通,使传输控制讯号到输出电晶体之传输闸维持完全导通状态,所以在输出切换时,不会有输出延迟过久或产生短路电流情形。
申请公布号 TW386321 申请公布日期 2000.04.01
申请号 TW087105615 申请日期 1998.04.14
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 黄金城;廖元沧
分类号 H03L27/00 主分类号 H03L27/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器,包括:一第一N型电晶体,该第一N型电晶体之闸极连接到一输出N型电晶体控制讯号,其源极连接到一接地端;一第二N型电晶体,该第二N型电晶体之闸极连接到一电源端,其源极连接到该第一N型电晶体之汲极,其汲极连接到一输入输出端;一第三N型电晶体,该第三N型电晶体之闸极连接到一输出入控制讯号,其源极连接到该接地端;一第四N型电晶体,该第四N型电晶体之闸极连接到该电源端,源极连接到该第三N型电晶体之汲极;一第五N型电晶体,该第五N型电晶体之闸极连接到该输出入控制讯号之互补讯号,其源极连接到该第四N型电晶体之汲极,其汲极连接到该第一N型电晶体之汲极;一第一P型电晶体,该第一P型电晶体之闸极连接到该电源端,其源极连接到该输入输出端,其汲极连接到一浮动N井;一第二P型电晶体,该第二P型电晶体之闸极连接到该第四N型电晶体之汲极,其源极连接到该电源端,其汲极连接到该浮动N井;一第三P型电晶体,该第三P型电晶体之闸极连接到该电源端,其源极连接到该输入输出端;一第四P型电晶体,该第四P型电晶体之闸极连接到该电源端,其源极连接到该输入输出端,其汲极连接到该第四N型电晶体之汲极;一第五P型电晶体,该第五P型电晶体之闸极连接到该第三P型电晶体之汲极,其源极连接到该电源端,其汲极连接到该输入输出端;一第六P型电晶体,该第六P型电晶体之闸极连接到该第四N型电晶体之汲极,其源极连接到一输出P型电晶体控制讯号,其汲极连接到该第五P型电晶体之闸极;以及一第六N型电晶体,该第六N型电晶体之闸极连接到该电源端,源端连接到该第五P型电晶体之闸极,汲极连接到该输出P型电晶体控制讯号;其中,该浮动N井系连接到上述所有P型电晶体之基底,当该输入输出缓冲器在输入模式时,该输出入控制讯号之互补讯号系为高电位,且该输出P型电晶体控制讯号为高电位,该输出N型电晶体控制讯号为低电位;当该输入输出缓冲器在输出模式时,该输出入控制讯号系为高电位。2.如申请专利范围第1项所述之可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器,其中该输出N型电晶体控制讯号系由一反或闸控制,该输出P型电晶体控制讯号系由一反及闸控制。3.如申请专利范围第1项所述之可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器,其中该接地端系接至0V,该电源端系接至3.3V,该输入输出端之输入电压范围为0V-5V。4.一种可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器,包括:一第一N型电晶体,该第一N型电晶体之闸极连接到一输出N型电晶体控制讯号,其源极连接到一接地端;一第二N型电晶体,该第二N型电晶体之闸极连接到一电源端,其源极连接到该第一N型电晶体之汲极,其汲极连接到一输入输出端;一第一控制开关,该第一控制开关之控制端连接到一输出入控制讯号,其第一连接端连接到该接地端;一第四N型电晶体,该第四N型电晶体之闸极连接到该电源端,源极连接到该第一控制开关之第二连接端;一第二控制开关,该第二控制开关之控制端连接到该输出入控制讯号之互补讯号,其第一连接端连接到该第四N型电晶体之汲极,其第二连接端连接到该第一N型电晶体之汲极;一第一P型电晶体,该第一P型电晶体之闸极连接到该电源端,其源极连接到该输入输出端,其汲极连接到一浮动N井;一第二P型电晶体,该第二P型电晶体之闸极连接到该第四N型电晶体之汲极,其源极连接到该电源端,其汲极连接到该浮动N井;一第三P型电晶体,该第三P型电晶体之闸极连接到该电源端,其源极连接到该输入输出端;一第四P型电晶体,该第四P型电晶体之闸极连接到该电源端,其源极连接到该输入输出端,其汲极连接到该第四N型电晶体之汲极;一第五P型电晶体,该第五P型电晶体之闸极连接到该第三P型电晶体之汲极,其源极连接到该电源端,其汲极连接到该输入输出端;一第六P型电晶体,该第六P型电晶体之闸极连接到该第四N型电晶体之汲极,其源极连接到一输出P型电晶体控制讯号,其汲极连接到该第五P型电晶体之闸极;以及一第六N型电晶体,该第六N型电晶体之闸极连接到该电源端,源极连接到该第五P型电晶体之闸极,汲极连接到该输出P型电晶体控制讯号;其中,该浮动N井系连接到上述所有P型电晶体之基底,当该输入输出缓冲器在输入模式时,该输出入控制讯号之互补讯号使该第二控制开关导通且该第一控制开关不导通,并且该输出P型电晶体控制讯号为高电位,该输出N型电晶体控制讯号为低电位;当该输入输出缓冲器在输出模式时,该输出入控制讯号使该第二控制开关不导通且该第一控制开关导通。图式简单说明:第一图绘示一种习知之输入输出缓冲器的图形,其操作于3.3V之IC内;第二图绘示在IEEE JSSC所提出之输入输出缓冲器改善电路的图形;以及第三图绘示本发明之一较佳实施例的一种可承受输入电压高于电源电压之输入输出缓冲器的图形。
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