| 主权项 |
1.一种自动对准节点接触窗口的方法,适用于形成有一电晶体之一基底,该电晶体包括一第一顶盖层、第一间隙壁、一第一源极区/汲极区和一第二源极/汲极区,该第一顶盖层位于该电晶体之一闸极结构上,该第一间隙壁位于该第一顶盖层和该闸极结构的侧壁,该第一源极/汲极区和该第二源极/汲极区位于该第一间隙壁两外侧之该基底内,包括:形成一位元线,与该电晶体之该第一源极/汲极区耦接,该位元线上方有一第二顶盖层和一第一导电层;形成一绝缘层与包括该位元线、该第二顶盖层和该第一导电层之结构共形;于该位元线、该第二顶盖层和该第一导电层之侧壁的该绝缘层外形成一导电间隙壁;以及以该第一导电层、该导电间隙壁、该电晶体之该第一顶盖层和该第一间隙壁为罩幕,进行一蚀刻制程,以形成该自动对准节点接触窗口,裸露出该电晶体之该第二源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该位元线上方之该顶盖层的材质系为LP-TEOS氧化物。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导电层和该导电间隙壁的材质包括已掺杂的多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层的材质包括LP-TEOS氧化物。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层的厚度约为500A。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该导电间隙壁的方法,包括:形成一第二导电层覆盖该绝缘层;以及进行一非等向性蚀刻制程,移除部份该第二导电层,以形成该导电间隙壁。7.一种DRAM电容器的制造方法,适用于形成有一电晶体之一基底,该MOS电晶体包括一第一源极区/汲极区和一第二源极/汲极区,包括:形成一位元线,与该电晶体之该第一源极/汲极区耦接,该位元线上方有一顶盖层和一第一导电层;形成一绝缘层与包括该位元线、该顶盖层和该第一导电层之结构共形;于该位元线、该顶盖层和该第一导电层之侧壁的该绝缘层外形成一导电间隙壁;以及以该第一导电层和该导电间隙壁为罩幕,进行一蚀刻制程,以形成该自动对准节点接触窗口,裸露出该第二源极/汲极区;形成一第二导电层且填满该节点接触窗口;定义该第二导电层以形成该电容器之该下电极;以及于该下电极之表面依序形成一介电层和一上电极,以完成该DRAM电容器。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该位元线上方之该顶盖层的材质系为LP-TEOS氧化物。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一导电层和该导电间隙壁的材质包括已掺杂的多晶矽。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该绝缘层的材质包括LP-TEOS氧化物。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该绝缘层的厚度约为500A。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中形成该导电间隙壁的方法,包括:形成一第三导电层覆盖该绝缘层;以及进行一非等向性蚀刻制程,移除部份该第三导电层,以形成该导电间隙壁。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该下电极表面更包括形成一半球形矽晶矽粒层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中形成该半球形矽晶粒层的方法包括选择性成长半球形矽晶粒。图式简单说明:第一图系绘示一种习知节点接触窗的剖面图;以及第二图A至第二图E系绘示根据本发明较佳实施例之一种DRAM电容器的制造流程剖面图。 |
