发明名称 于半导体元件制造装置中用以检测欲移送物件的装置
摘要 一种用以检测欲移送物件的装置,包含有一晶片侦测单元,其具有光测感器,可扫描一个在一举升站上上下移动的牵转具,以检测固定在牵转具内各个层级内的晶片,一标示装置铅直地设在举升站的下方,包含有铅直设置的光线通过部份和非光线通过部份。此标示装置系横跨过读取单元的光轴,而该读取单元则包含有例如5个光发射/侦测装置,因之而可获得铅直位置的资料,并可依据来自晶片侦测单元的光侦测信号而决定是否有晶片存在于各个层级内。此种安排使其可快速而正确地侦测出在牵转具内各层级内是否有半导体晶片存在,而且即使是当举升站在侦测作业中停止下来而中断侦测作业,其侦测作业亦可在其停止位置重新开始,而不需要将牵转具移回至其初始位置上。
申请公布号 TW406863 申请公布日期 2000.09.21
申请号 TW088201780 申请日期 1996.02.05
申请人 东京威力科创有限公司 发明人 菊地寿
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种于半导体制造装置中用以检测欲移送物件的装置,其中用以检测欲移送物件之侦测装置系由举升装置相对于一个在半导体制造装置中用以将板片形状之欲移送物件固定在各个以某一铅直间距隔开之一个叠置于一个上面的层级内之容器而上下移动,而可侦测容器内各层级有无欲移送物件,该装置包含有:标示装置,设置在举升装置上,并包含有多个光学元件,其等具有不同之光学特性,且铅直地一个设置在一个上面;以及读取装置,用以读取标示装置之光学元件的光侦测到之量,该读取装置的光轴系横穿过标示装置的一举升通道,其中该标示装置系安排成由读取装置所读取到的标记代表着该容器在该侦测装置之侦测范围内各层级的铅直位置。2.一种于半导体制造装置中用以检测欲移送物件的装置,其中用以检测欲移送物件之侦测装置系由举升装置相对于一个在半导体制造装置中用以将板片形状之欲移送物件固定在各个以某一铅直间距隔开之一个叠置于一个上面的层级内之容器而上下移动,而可侦测容器内各层级有无欲移送物件,该装置包含有:读取装置,设置在该举升装置上;以及标示装置,包含有多个光学元件,其等系铅直地一个设置在一个上面,具有不同的光学特性,且系设置在读取装置之光轴的一铅直通道内,以使得该读取装置可读取光侦测到之量,其中该标示装置系安排成由读取装置所读取到的标记代表着该容器在该侦测装置之侦测范围内各层级的铅直位置。3.根据申请专利范围第1项之用以检测欲移送物件的装置,其中该读取装置包含有多个铅直设置的光发射/侦测装置,而该标示装置包含有光线通过部份及非光线通过部份的组合。4.根据申请专利范围第1项之用以检测欲移送物件的装置,其中该标示装置包含有反射部份及非反射部份的组合。5.根据申请专利范围第2项之用以检测欲移送物件的装置,其中该读取装置包含有多个铅直设置的光发射/侦测装置。6.根据申请专利范围第2项之用以检测欲移送物件的装置,其中该标示装置包含有反射部份及非反射部份的组合。7.根据申请专利范围第3项之用以检测欲移送物件的装置,其中该光线通过部份及非光线通过部份的一段铅直长度系为该等光发射/侦测装置之每一者的一段铅直长度的整数倍。图式简单说明:第一图是根据本创作之一实施例的用以做为半导体元件制造装置的直立式热处理装置的外观图,其设有晶片计数装置,以计算欲移送物件。第二图是第一图中之晶片计数装置的外观图。第三图是一个可由本创作晶片计数装置加以检测的晶片牵转具自晶片载入/取出侧观看的前视图。第四图是一个用以解释晶片侦测单元和固定在晶片牵转具固定槽内之晶片的表面间之位置关系的图式。第五图本创作晶片计数装置之主要部份的示意前视图。第六图是本创作晶片计数装置的标示装置和读取装置。第七图是一个用以解释标示装置和由本创作晶片计数装置之读取装置所输出的编码。第八图A至第八图C是用以解释本创作晶片计数装置之实施例的操作之图式。第九图是晶片牵转具之铅直剖面图,用以说明晶片置放在晶片牵转具内的情形。第十图是习用晶片计数装置的示意外观图。
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