| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体堆叠电容之制造方法,至少包括下列步骤:(a)提供一半导体基底;(b)在该半导体基底上,形成一电晶体,该电晶体具有一源极/汲极区和一闸极;(c)覆盖一第一类绝缘层;(d)蚀刻该第一类绝缘层,用以形成一露出该源极/汲极区的接触窗;(e)在该接触窗中填入一导电材料,形成一导电插塞;(f)形成一第二类绝缘层,用以覆盖上述各层;(g)蚀刻该第二类绝缘层,用以形成一开口,露出该导电插塞,和该导电插塞邻近的部分该第一类绝缘层之表面;(h)沿着该开口形成一第一导电层;(i)去除部分该第一导电层,用以在该导电插塞上形成一中空筒状导电层,该中空筒状导电层与该导电插塞形成一下电极;(j)在该下电极露出的表面形成一介电层;以及(k)在该介电层上,形成一第二导电层,用以形成一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一类绝缘层包括两层绝缘层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一类绝缘层的形成方法,是利用原矽酸四乙酯为反应气体,同时掺杂硼、磷离子,而以化学气相沉积法所形成。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第一类绝缘层的形成方法,更包括一紧密化的步骤。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第二类绝缘层的形成方法,是利用原矽酸四乙酯和臭氧为反应气体,而以化学气相沉积法所形成。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第二类绝缘层的形成方法,不包括一紧密化的步骤。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一类绝缘层和该第二类绝缘层的物性和化性不同。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电材料系为多晶矽物质。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(g)蚀刻该第二类绝缘层系使用10:1缓冲氧化蚀刻液。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该缓冲氧化蚀刻液的选择性,对该第一类绝缘层和该第二类绝缘层之比约为7:1。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(i)包括:(1)在该第一导电层上沈积一第三类绝缘层;(2)回蚀刻该第三类绝缘层,终止层为该第一导电层;(3)回蚀刻该第一导电层,终止层为该第二类绝缘层;以及(4)回蚀刻去除剩余的该第三类绝缘层和该第二类绝缘层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤(4)之蚀刻液为10:1缓冲氧化蚀刻液。图式简单说明:第一图A到第一图F系绘示中国台湾专利85115854本案申请人所研发的一种动态随机存取记忆体圆筒形堆叠电容之部分制造步骤的剖面示意图;以及第二图A到第二图E绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体圆筒形堆叠电容之部分制造步骤的剖面示意图。 |
