| 主权项 |
1.一种强电介质电晶体,其特征为其中包括:-在半导体基板(11)中设有两个源极/汲极区(13),以及一配置介于其间的通道区,-在通道区的表面上配置第一电介质中间层(14),其包含Al2O3,-在第一电介质中间层(14)之上配置强电介质层(15)与闸极电极(16)。2.如申请专利范围第1项之强电介质电晶体,其中此第一电介质中间层(14)具有5至20奈米(nm)的厚度。3.如申请专利范围第1项之强电介质电晶体,其中此第一电介质中间层(24)形成为复数层。4.如申请专利范围第3项之强电介质电晶体,其中此第一电介质中间层(24)包含SiO2或Si3N4。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之强电介质电晶体,其中在介于强电介质层(25)与闸极电极(28)之间,配置第二电介质中间层(26)。6.如申请专利范围第5项之强电介质电晶体,其中此第二电介质中间层(26)包含Al2O3,CeO2或ZrO2,并且具有2至20奈米(nm)的厚度。7.如申请专利范围第5项之强电介质电晶体,其中此第二电介质中间层(26)形成为复数层。8.如申请专利范围第7项之强电介质电晶体,其中此第二电介质中间层(26)包含SiO2或Si3N4。9.如申请专利范围第5项之强电介质电晶体,其中此强电介质层(25)之侧面由电介质侧面覆盖物(27)包围。10.如申请专利范围第9项之强电介质电晶体,其中此电介质侧面覆盖物(27)包含Al2O3,CeO2或ZrO2,SiO2或Si3N4。11.如申请专利范围第1至4项中任一项之强电介质电晶体,其中-强电介质层(15)包含SBT(SrBi2Ta2 O9),PZT(PbZrxTi1-xO2),LiNbO3或是BMF(BaMgF4),-闸极电极(16)包含掺杂多晶矽,铂,或是钨。图式简单说明:第1图系显示经由强电介质电晶体的截面,其中强电介质层是配置介于第一电介质中间层与闸极电极之间。第2图系显示经由强电介质电晶体的截面,其中强电介质层完全由电介质材料所包围。 |
