| 主权项 |
1.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述第2过电压保护元件系具有超过前述第1过电压保护元件之电流容许能力之可变电阻元件。2.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,藉由于前述第2过电压保护元件施加比定格电压还大之电压而使流过规定之脉冲电流时所必要之施加电压,对于前述第1过电压保护元件而言,为只能流过比前述规定之脉冲电流还少之电流之电压。3.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述第2过电压保护元件系具有比前述第1过电压保护元件还大之破坏电压之可变电阻元件。4.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述第2过电压保护元件系具有比前述第1过电压保护元件还大之容量之元件。5.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述第2过电压保护元件之破坏电压系比前述第1过电压保护元件之破坏电压还小。6.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述第2过电压保护元件之破坏电压系比藉由前述第1过电压保护元件被保护之电路之破坏电压还小。7.一种IC卡,其系在卡基板具有半导体积体电路晶片,使电路之电源用接续端子以及信号用接续端子露出之IC卡,其特征为:前述电源用接续端子以及信号用接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,一端接续于前述电源用接续端子,另一端接续于信号用接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,由前述信号用接续端子至对应之第2过电压保护元件为止之信号传输距离比由前述信号用接续端子至半导体积体电路晶片之对应外部端子为止之信号传输距离短。8.如申请专利范围第1至第7项之其中任何一项记载之IC卡,其中前述第2过电压保护元件系以半导体陶瓷为主体之面构装型之变阻器。9.如申请专利范围第1项记载之IC卡,其中前述半导体积体电路晶片为控制器晶片,进而在前述卡基板具有被接续于前述控制器晶片之单数或复数个之不挥发性记忆体晶片,前述控制器晶片具有依循由外部来之指示,控制对于前述不挥发性记忆体晶片之读出写入动作之记忆体控制机能。10.如申请专利范围第9项记载之IC卡,其中前述控制器晶片系具有:对于写入前述不挥发性记忆体晶片之资料进行加密,对于由前述不挥发性记忆体晶片读出之资料进行解密之机密保护机能。11.一种IC卡之制造方法,其系在具有接续于外部端子之第1过电压保护元件与其它之电路被集成之半导体积体电路晶片之卡基板使复数个之接续端子露出之IC卡之制造方法,其特征为:将接续于前述接续端子之第2过电压保护元件先构装于前述卡基板,之后,将前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子接续于前述接续端子。12.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述第2过电压保护元件系以面构装被接续于被形成在卡基板之导电图案。13.如申请专利范围第12项记载之IC卡,其中前述半导体积体电路晶片系控制器晶片,进而在前述卡基板具有被接续于前述控制器晶片之单数或复数个之不挥发性记忆体晶片,前述控制器晶片具有依循由外部来之指示,控制对于前述不挥发性记忆体晶片之读出写入动作之记忆体控制机能,前述接续端子与控制器晶片之外部端子系透过焊线被接续,前述控制器晶片与不挥发性记忆体晶片系透过焊线被接续。14.一种IC卡,其系在卡基板之一面构装复数个之记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片而成之IC卡,其特征为:前述卡基板之前述一面之表面积比前述记忆体晶片以及控制器晶片之延伸面积还大,前述记忆体晶片在使个别之外部端子露出地错开位置被复数个重叠之状态,被构装于前述卡基板。15.一种IC卡,其系在卡基板之一面构装复数个之记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片而成之IC卡,其特征为:前述记忆体晶片在使个别之外部端子露出地错开位置被复数个重叠之状态,被构装于前述卡基板,由前述控制器晶片相互接受相同信号之记忆体晶片之外部端子以焊线依序被串列接续。16.一种IC卡,其系在卡基板之一面构装复数个之记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片而成之IC卡,其特征为:前述记忆体晶片在使个别之外部端子露出地错开位置被复数个重叠之状态,被构装于前述卡基板,前述记忆体晶片之晶片选择信号输入用之外部端子被位于记忆体晶片之外部端子排列之端部,个别以焊线被接续于前述控制器晶片。17.一种IC卡,其系在卡基板构装复数个之记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述记忆体晶片系被接续于前述控制器晶片,前述接续端子系被接续于前述控制器晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述控制器晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,使由前述接续端子分离之距离依前述第2过电压保护元件、控制器晶片、复数个之记忆体晶片之顺序变大,彼等由前述卡基板之一边朝向对向边呈列状被配置。18.如申请专利范围第17项记载之IC卡,其中前述记忆体晶片系在使个别之外部端子露出地错开位置被重叠之状态,被构装于前述卡基板。19.一种IC卡,其系在卡基板构装复数个之记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:沿着前述卡基板之相邻2边之内之一方之边,前述复数个之接续端子被排列,记忆体控制器沿着长度方向被配置于前述相邻2边之另一方之边,前述复数个之记忆体晶片被并列于与前述接续端子之排列方向略直角之方向,前述接续端子被接续于前述控制器晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述控制器晶片,前述记忆体晶片系被接续于前述控制器晶片。20.如申请专利范围第19项记载之IC卡,其中接续于前述接续端子之第2过电压保护元件沿着前述接续端子之排列方向被构装于前述卡基板。21.如申请专利范围第19项记载之IC卡,其中前述记忆体晶片系在被分成:在使个别之外部端子露出地错开位置之状态被复数个重叠之第1群组,以及被同样复数个重叠之第2群组之状态而被并列。22.一种IC卡,其系在卡基板之一面形成复数个之接续端子,前述接续端子透过通孔被接续于前述卡基板之另一面之导电图案,半导体积体电路晶片之外部接续端子被接续于前述导电图案,前述半导体积体电路晶片被构装于前述卡基板之另一面之IC卡,其特征为:前述通孔系被配置于与前述半导体积体电路晶片一齐地覆盖卡基板之另一面之铸模区域之外。23.如申请专利范围第22项记载之IC卡,其中前述通孔系被形成在对于前述接续端子之滑动面为偏离之位置。24.一种IC卡,其系复数个之接续端子被形成在卡基板之一面,半导体积体电路晶片被构装在前述卡基板之另一面之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成在前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板之另一面,与前述半导体积体电路晶片以及第2过电压保护元件一齐地,卡基板之另一面以金属盖被覆盖着。25.一种IC卡,其系复数个之接续端子被形成在卡基板之一面,半导体积体电路晶片被构装在前述卡基板之另一面之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成在前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板之另一面,在前述卡基板之一面除了前述接续端子之区域,形成导电性屏蔽图案,前述导电性屏蔽图案被接续于接地电源供给用之前述接续端子,或与任何一个之接续端子都没有接触。26.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,进而在IC卡之表面具有明示以手指持有该IC卡之位置用之表示。27.一种IC卡,其系一种在卡基板具有半导体积体电路晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,进而在IC卡之表面具有不要接触前述接续端子之敦促注意文字。28.一种IC卡,其特征为:在卡基板具有半导体积体电路晶片,具有使复数个之接续端子露出之IC卡,以及包装前述IC卡之包装材料,前述接续端子被接续于前述半导体积体电路晶片之指定之外部端子,接续于前述外部端子之第1过电压保护元件被集成于前述半导体积体电路晶片,接续于前述接续端子之第2过电压保护元件被构装于前述卡基板,前述包装材料具有不要接触前述接续端子之敦促注意文字。29.一种IC卡,其系在卡基板构装复数个之记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片,使复数个之接续端子露出之IC卡,其特征为:前述接续端子被接续于前述控制器晶片之第1群之外部端子,前述记忆体晶片被接续于前述控制器晶片之第2群之外部端子,将接续于前述第2群之外部端子之资料评价用端子形成于前述卡基板。30.如申请专利范围第29项记载之IC卡,其中更于前述卡基板设置将被包含于前述控制器晶片之第2群之外部端子之输出端子控制为高输出阻抗状态之控制端子。31.如申请专利范围第29或30项记载之IC卡,其中前述控制器晶片具有对于写入前述记忆体晶片之资料进行加密,对于由前述记忆体晶片读出之资料进行解密之机密保护机能。32.一种资料复原方法,其系针对复数个之接续端子被露出,在卡基板构装记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片,前述接续端子被接续于前述控制器晶片之第1群之外部端子,前述记忆体晶片被接续于前述控制器晶片之第2群之外部端子,接续于前述第2群之外部端子之资料评价用端子被形成于前述卡基板之IC卡之资料复原方法,其特征为包含:使藉由前述控制器晶片之记忆体晶片之控制成为不可能之状态之第1处理;以及控制记忆体晶片,由前述资料评价用端子读出资料之第2处理。33.一种资料复原方法,其系针对复数个之接续端子被露出,在卡基板构装记忆体晶片与控制前述记忆体晶片之控制器晶片,前述控制器晶片具有对于写入前述记忆体晶片之资料进行加密,对于由前述记忆体晶片读出之资料进行解密之机密保护机能,前述接续端子被接续于前述控制器晶片之第1群之外部端子,前述记忆体晶片被接续于前述控制器晶片之第2群之外部端子,接续于前述第2群之外部端子之资料评价用端子被形成于前述卡基板之IC卡之资料复原方法,其特征为包含:控制被包含于前述控制器晶片之前述第2群之外部端子之输出端子成为高输出阻抗状态之第1处理;以及控制记忆体晶片,由前述资料评价用端子读出资料之第2处理;以及解密在前述第2处理读出之资料之第3处理;以及将在前述第3处理解密之资料写入别的IC卡之第4处理。图式简单说明:图1系将本发明之IC卡之一例关于1个之接续端子而图示之电路图。图2系显示变阻器之剖面构造之一例之轴剖面图。图3系显示变阻器之特性之I-V线图。图4系以对于多媒体卡之接续端子之变阻器之接续形态为例所示之说明图。图5以平面地显示以电路元件构装状态为主之多媒体卡之构成之说明图。图6系多媒体卡之纵剖面图。图7A-B系显示对于多媒体卡之接续端子使通孔偏离之状态之说明图。图8系部份显示于不挥发性记忆体晶片之接续使用缝纫焊接之多媒体卡之平面图。图9系缝纫焊接部份之纵剖面图。图10A-B系显示利用钉头焊之情形与楔形焊接之情形之焊线焊接状态之说明图。图11系平面地显示不挥发性记忆体晶片之4个堆叠构造之多媒体卡之构成之说明图。图12系显示图11之多媒体卡之剖面构造之纵剖面图。图13系显示适用记忆体晶片之分割堆叠构造与沿着卡基板之邻接2边配置接续端子与控制器晶片之构造之多媒体卡之平面图。图14系图13之多媒体卡之部份纵剖面图。图15系显示适用记忆体晶片之分割堆叠构造与沿着卡基板之邻接2边配置接续端子与控制器晶片之构造之别的多媒体卡之平面图。图16系显示在记忆体晶片上搭载控制器晶片,使两者堆叠之记忆体卡之平面图。图17系显示利用LOC,堆叠记忆体晶片与控制器晶片之折弯卡之平面图。图18系显示适用COB构造之IC卡之别的例之平面图。图19系图18之IC卡之纵剖面图。图20系被形成于图18之IC卡之卡基板底面之导电图案之说明图。图21A-B系显示具有静电破坏防止用之注意说明或注意表示之IC卡之说明图。图22系显示构装变阻器之IC卡之组装方法之流程图。图23系着眼于资料复原之观点之IC卡之平面图。图24系显示对于具备资料评价用端子之IC卡之资料复原处理之顺序之流程图。图25A-D系数种类显示金属盖之构造之说明图。图26系显示快闪记忆体晶片之构成之方块图。图27系概略地显示快闪记忆体晶片用之不挥发性记忆体单元电晶体之构造之剖面图。 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