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经营范围
发明名称
半导体元件
摘要
本发明有提供一种半导体元件,系包含:一第一绝缘膜,其系被形成在第一布线之一表面与第一绝缘膜之一表面于其上被延续之大致平坦表面上,以覆盖第一布线;一被形成在第二绝缘膜中之布线沟渠;连接孔,系被形成在第二绝缘膜中而从布线沟渠延伸至第一布线;虚设连接孔,系被形成在第二绝缘膜中而从布线沟渠延伸至第一布线之一非形成区域;以及一第二布线,系被埋置在连接孔与布线沟渠中,以被电气地连接至第一布线上,并且亦被埋置在虚设连接孔中,上被形成使得第二布线之一表面与第二绝缘膜之一表面构成一大致平坦的表面。
申请公布号
TW200301543
申请公布日期
2003.07.01
申请号
TW091134354
申请日期
2002.11.26
申请人
富士通股份有限公司
发明人
渡边健一;清水纪嘉;铃木贵志
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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