发明名称 制造巨大、单结晶之氮化铝的方法及装置
摘要 一种用来制造巨大的单结晶AlN之方法及装置,其包含一含有Al及N2来源材料在其中且能形成巨大的结晶之结晶生长室。该装置可将结晶生长室内的N2分压维持在大于相对于Al之化学计量的压力,同时将结晶生长室中的总蒸气压维持在超大气压力。在结晶生长室中提供至少一个成核位置,且提供冷却该成核位置(相对于结晶生长室中的其它场所)。然后沉积Al及N2蒸气以在该成核位置处生长单结晶AlN。
申请公布号 TW200301323 申请公布日期 2003.07.01
申请号 TW091137050 申请日期 2002.12.23
申请人 克里斯托艾斯股份有限公司 发明人 里欧J 史考瓦特;葛伦A 史拉克;J 卡洛斯 罗荷
分类号 C30B25/00 主分类号 C30B25/00
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国