发明名称 | 发光设备、液晶显示设备及它们的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种半导体设备的结构及其制造方法,该半导体设备即使在显示屏尺寸增加时也能实现低功耗。本发明形成一绝缘层,在绝缘层中形成隐埋互连(为Cu、Au、Ag、Ni、Cr、Pd、Rh、Sn、Pb或其合金)。进一步,在平面化绝缘层表面之后,在暴露部分中形成金属保护膜(Ti、TiN、Ta、TaN或类似物)。通过在发光设备或液晶显示设备的各种线(栅线、源线、电源线、公用线等等)的部分中使用隐埋互连,降低了线电阻。 | ||
申请公布号 | CN1450841A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
申请号 | CN03131232.2 | 申请日期 | 2003.03.26 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 高山彻;山崎舜平 |
分类号 | H05B33/12;G02F1/1368 | 主分类号 | H05B33/12 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;梁永 |
主权项 | 1.一种发光设备包括:衬底,具有一个绝缘表面;具有透光性的第二衬底;像素区域,具有大量发光元件,该发光元件具有第一电极、位于第一电极上并与其相接触的包含有机化合物的层、和位于包含有机化合物的层上并与其相接触的第二电极;和驱动电路,具有薄膜晶体管;其中像素区域排列有隐埋互连制成的栅线、源线或电源线。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |