| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系于半导体层中具备第1导电型杂质领域及第2导电型杂质领域之半导体装置之制造方法,包括:于前述半导体层上形成绝缘层之步骤,该绝缘层上具备有:具有对于杂质相对于前述半导体层的垂直线之注入角度,使半导体层的表面露出之上端部的开口形状之第1接触孔,及具有对于前述注入角度,可遮蔽半导体层的表面之上端部的开口形状之第2接触孔;以前述绝缘层做为遮罩,以前述注入角度对前述半导体层注入第1导电型杂质,而仅在透过前述第1接触孔而露出之前述半导体层的表面形成前述第1导电型杂质领域之步骤;以及利用前述绝缘层之前述第2接触孔,而仅在透过前述第2接触孔而露出之前述半导体层的表面形成前述第2导电型杂质领域之步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,前述第1接触孔及前述第2接触孔之上端部的开口形状系形成圆形状,且前述第1接触孔的开口直径为S,前述第2接触孔的开口直径为T,前述绝缘层的膜厚为h时,前述注入角度,系以满足T/h<tan<S/h之条件式的方式决定。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,前述第1接触孔之上端部的开口形状系形成椭圆形状,前述第2接触孔之上端部的开口形状系形成圆形状,且前述第1接触孔的长边尺寸为S,前述第2接触孔的开口直径为T,前述绝缘层的膜厚为h时,前述注入角度,系以满足T/h<tan<S/h之条件式的方式决定,且前述第1导电型杂质之注入,系沿着前述长边尺寸方向进行。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,前述第1接触孔及前述第2接触孔之上端部的开口形状系形成椭圆形状,前述第1接触孔的长边方向与前述第2接触孔的长边方向系设成垂直,且前述第1接触孔的长边尺寸为S3,前述第2接触孔的短边尺寸为T3,前述绝缘层的膜厚为h时,前述注入角度,系以满足T3/h<tan<S3/h之条件式的方式决定,且前述第1导电型杂质之注入,系沿着前述第1接触孔之长边尺寸方向进行,而前述第1接触孔的短边尺寸为T4,前述第2接触孔的长边尺寸为S4,前述绝缘层的膜厚为h时,则前述注入角度,系以满足T4/h<tan<S4/h之条件式的方法决定,且前述第2导电型杂质之注入,系沿着前述第2接触孔之长边尺寸方向进行。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,前述第1导电型杂质领域,系p型或n型杂质之任一者,前述第2导电型杂质领域,系p型或n型杂质之另一者。图式简单说明:第1图为显示第1实施形态之半导体装置之构造之剖面图。第2图至第4图为显示第1实施形态之半导体装置之制造步骤之第1至第3步骤剖面图。第5图为显示第2实施形态之半导体装置之构造之剖面图。第6图至第8图为显示第2实施形态之半导体装置之制造步骤之第1至第3步骤剖面图。第9图为显示第3实施形态中之接触孔51a,52a之上端部的开口形状之图。第10图为显示第4实施形态中之接触孔51a,52a之上端部的开口形状之图。第11图为显示第5实施形态中之接触孔51a,52a之上端部开口形状之显示图。第12图为显示传统技术之半导体装置之构造之剖面图。第13图与第14图为显示传统技术之半导体装置之制造步骤之第1及第2步骤剖面图。 |
