发明名称 CMP研磨剂及研磨方法
摘要 提供一种CMP研磨剂以及研磨方法,其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水,且水溶性高分子为丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺以及由此些的α–取代化合物所构成的族群其中之一的化合物,且此化合物具有N–单取代化合物以及N,N–二取代化合物的其中之一的骨骼。其中对研磨剂100重量份,水溶性高分子的添加量为0..01重量份以上10重量份以下。依此,在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟渠隔离用绝缘膜等的CMP技术中,对于氧化矽等膜的研磨能够有效率、高速且制程管理容易的进行。
申请公布号 TW200425316 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW093102096 申请日期 2004.01.30
申请人 日立化成工业股份有限公司 发明人 深泽正人;吉田诚人;小山直之;大槻裕人;山岸智明;榎本和宏;芳贺浩二;仓田靖
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 日本