| 发明名称 | 电场沉积制备薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种电场沉积制备薄膜的方法，其主要工艺过程包括：(1)制备待沉积材料或其前驱体的颗粒在液体中的分散体系，(2)将待沉积薄膜的基材置入分散体系中，(3)由电源、导线、电极等组成沉积电路，通过沉积电路对分散体系施加沉积电场，(4)利用颗粒在电场中的有序受力和运动将其沉积在基材上形成薄膜。其特点是：沉积过程中，待沉积薄膜的基材和(或)其上的薄膜不与形成沉积电场的电路形成闭合电流回路。其主要优点是：可有效防止有害电极反应对沉积过程和沉积膜的危害。 | ||
| 申请公布号 | CN1557998A | 申请公布日期 | 2004.12.29 |
| 申请号 | CN200410021685.4 | 申请日期 | 2004.01.14 |
| 申请人 | 重庆大学 | 发明人 | 谢卫东;彭晓东;李玉兰;刘方 |
| 分类号 | C25D15/00;C25D13/00 | 主分类号 | C25D15/00 |
| 代理机构 | 重庆大学专利中心 | 代理人 | 郭吉安 |
| 主权项 | 1.一种电场沉积制备薄膜的方法，其工艺过程包括：(1)制备待沉积材料或其前驱体的颗粒在液体中的分散体系，(2)将待沉积薄膜的基材置入分散体系中，(3)由电源[1]、导线[2]、电极[4]等组成沉积电路，通过沉积电路对分散体系施加沉积电场，(4)利用颗粒在电场中的有序受力和运动将其沉积在基材上形成薄膜；其特征是在沉积过程中，待沉积薄膜的基材[5]和/或其上的薄膜[6]不与沉积电路形成闭合电流回路。 | ||
| 地址 | 400044重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 | ||