半导体中用于形成绝缘层之方法

摘要

本发明系关于一种半导体装置中用以形成绝缘层的方法。当第一氧化物薄膜在沟槽内形成后，使用含氟气体对第一氧化物薄膜进行蚀刻处理，蚀刻处理中留在第一氧化物薄膜内的杂质，藉使用氧电浆或氢电浆而被剥离开。因此，不需额外的设备，便能避免装置特性因杂质扩散而变差。所以，能帮助改善下世代装置的可靠度。