| 发明名称 | 将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置，所述方法包含有：于第n次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n数据位的一数据极性；依据所述第n数据位的所述数据极性来选择性地对所述闪存单元的一浮栅注入一第n电荷量；于第n+1次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n+1数据位的所述数据极性；以及依据所述第n+1数据位的所述数据极性来选择性地对所述闪存单元的所述浮栅注入一第n+1电荷量；其中所述第n+1电荷量不同于所述第n电荷量，以及n为不小于1的正整数。本发明可大幅减少实体存储器分页在数据写入的过程中电荷抹除的次数，进而提高了实体存储器分页的数据写入速度以及使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN106158023A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510140113.6 | 申请日期 | 2015.03.27 |
| 申请人 | 慧荣科技股份有限公司 | 发明人 | 林璟辉;杨宗杰 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种将数据写入一闪存单元的方法，其特征在于，所述方法包含有：于第n次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n数据位的一数据极性；依据所述第n数据位的所述数据极性来选择性地对所述闪存单元的一浮栅注入一第n电荷量；于第n+1次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n+1数据位的所述数据极性；以及依据所述第n+1数据位的所述数据极性来选择性地对所述闪存单元的所述浮栅注入一第n+1电荷量；其中所述第n+1电荷量不同于所述第n电荷量，以及n为不小于1的正整数。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||