发明名称 SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION DEVICE
摘要 본 발명은, 원료를 가열하는 히터를 내부에 갖는 챔버 및 냉각매체에 의해 챔버를 냉각하는 수단을 갖는 CZ법에 의한 실리콘 단결정 제조장치로서, 챔버를 냉각하는 냉각매체가 챔버내를 유통하는 유로에 있어서의 입구온도, 출구온도, 및 유량의 측정수단, 입구온도, 출구온도, 및 유량의 측정값을 기초로 챔버로부터의 제거열량을 산출하는 연산수단, 및 산출한 제거열량을 기초로 히터전력을 제어하는 히터전력제어수단을 구비하는 실리콘 단결정 제조장치이다. 이에 따라, 냉각매체의 온도 및 유량의 측정값으로부터 산출한 챔버로부터의 제거열량을 기초로 히터전력을 제어함으로써, 보다 목표값에 가까운 결정직경 및 결정인상속도로 단결정의 인상을 행할 수 있는 실리콘 단결정 제조장치가 제공된다.
申请公布号 KR20160120725(A) 申请公布日期 2016.10.18
申请号 KR20167021586 申请日期 2015.02.03
申请人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 YANAGIMACHI TAKAHIRO;AKIBA MASAHIRO;TOKUE JUNYA;SONOKAWA SUSUMU
分类号 C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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