| 主权项 |
1﹒一种生长矽树枝网晶体的方法其特征为装填聚晶质矽于一坩埚中;溶化矽,足位具有一狭缝在其上的辐射盾于矽浴融体上一段距离以指头供介于熔体及通过前述狭缝生长的树枝网间的热流平冲,并控制在树枝网边界的温度梯度并在网自辐射盾的狭缝拉出来时控制熔融体的内在温度梯度。2﹒依申请专利范围第1项的方法,其特征为在树枝网边界的温度梯度由放大邻接于前述边缘以形成放大的尾端区域而控制。3﹒依申请专利范围第2项的方法,其特征在狭缝的放大尾端区域环绕经辐射盾内狭缝抽出之树枝网边界提供一对称温度梯度。4﹒依申请专利范围第2或3项的方法,其特征为在聚晶盾矽熔融体内的内在温度梯度系由提供以间隔自邻接树枝网边界之狭缝的盾内额外之开口所控制。5﹒依申请专利范围第1项的方法,其特征为于树枝网边界之温度梯度系由辐射源或气体喷射所控制。6﹒一装置用以生长矽树枝网晶体其特征为前述位置其包含一个感应器(susceptor)具一个洞含一有坩埚,在其中矽可熔化并保持熔融状态;具狭缝的一个盖子置于坩埚上可自其抽拉出树枝网品体,前述狭缝具有一放大的尾端区邻接于自狭缝抽出树枝网的边界所以可控制边界上网中的温度梯度,前述盖在前述狭缝的任一端进一步具有尾孔,前述尾孔自前述狭缝尾端具有适当的大小及间隔所以可控制在熔融矽的内在温度及梯度;及一辐射盾具有一狭缝位于前述盖之上经其可抽出树枝网晶体,前述狭缝以具有一放大的尾端区之形态邻接于树枝网的边界可控制在网边界的温度梯度,前述盾进一步具有在前述狭缝任一端的孔,前述尾端孔自前述狭缝尾端具有适当的大小及间隔所以可控制在熔融体内的内在温度梯度。7﹒依申请专利范围第6项的装置,其特征为邻接于网边界的盖及辐射盾之狭缝的放大尾端区对于网的边界是对称的。8﹒一装置用以生长矽村庄枝网晶体其特征为前述装置其包含:具有一个洞含一坩埚在其中的感应矽可在坩埚中熔化并保持熔融状态:具有狭缝的一盖位于坩埚上可经其抽出树枝网晶体,前述感应器盖中具有埠邻接于自含在前述坩埚内熔融矽中抽出的矽树枝网边界,前述埠控制经树枝网晶体之温度梯度;及具有一狭缝位在坩埚上的辐射盾经其可抽出树枝网晶体。9﹒依申请专利范围第8项的装置,其特征为额外的开口指头供于间隔自邻接于树枝网边界之盖及辐射盾上以控制在网边界上的温度梯度。10﹒一装置用仿生长矽树枝网晶体其包括一装在用以生长矽树枝网晶体其包含具有一洞含一坩埚在其中之感应器在坩埚中矽可以熔化并保持于熔融状态;及具有一狭缝在其中的位于坩埚上之盖子,经其可抽出一个树枝网晶体;前述盖具有自前述狭缝向外延伸之辐射埠,并邻接于经前述狭缝拉出矽树枝网晶体之边界,前述辐射埠延伸到前述盖的外边缘所以可控制在前述网边界之温度梯度。11﹒一装置用以生长矽树枝网晶体銤特征为在前述装置包含具有一洞含一坩埚在其中之感应器在坩埚中矽可以熔化并保持于熔融状态,及一具狭缝在其中位于坩埚上之盖子,经其可抽出一个树枝网晶体;前述具有自前述感应器洞底部经前述感应器底部向外延伸之辐射埠,所以可控制含在前述坩埚内的矽熔融体之内在温度梯度。12﹒一个生长矽树枝网晶之方法特征为装填聚晶质矽于一坩埚中;定位具有狭缝的盖于坩埚上经其可抽出树枝网晶体;并在网经盖中的狭缝抽出时控制介于树枝网与辐射缘边界间的温度梯度。 |
