| 主权项 |
1.一种薄膜之制法,其特征为将分散液或溶 液在阴极上形成疏水性物质薄膜之条件下 作电处理,该分散液或溶液之制法为将 0.5-15克/升之平均粒径不超过10微米 之疏水性物质粉末,利用HLB値10.0至 20.0之界面活性剂予以分散或溶解于水介 质中,以及使用IT0 (氧化铟与氧化锡之 混合物)、白金、金、银、玻璃碳、导电 性金属氧化物、导电性有机化合物作为阳 极,其中疏水性物质粉末包括 花青,巴 利精红(paliogen red) k3580,立索猩红 k3700,赫利精蓝(heliogen blue) k6902, 花青化酮,二 嵌苯类的颜料 (k3580),维尔罗根(viologen),CuPcCl8 Br8(L9361),苏丹Ⅰ,四苯紫菜硷-锌 错化合物,三苯胺,色淀颜料(k3700), 酚—AS,联葱 ,异二氢 酮,矽 氧烷,薰草素30, 啶酮,CdS,Tio2 ,重氮化合物,二 ,丙烯酸,苯乙烯 ,三甲胺,鲨烷;界面活性剂包括选自聚 氧化乙烯烷基醚、聚氧化乙烯脂肪酸酯或 聚氧化乙烯烷基苯基醚之非离子界面活性 剂或下列式二茂铁衍生物: (其中Rl与R2各为不超过6个碳原子之 烷基;Y代表氧原子或氧化羰基;a为0 至4之整数,b为0至4之整数,m为1 至18之整数,n为2.0至70.0之实数); 阴极包括铝、锌、锡、铁、镍、镁、不锈 钢、ITO、铜、白金、玻璃碳、聚苯胺/ IT0;当界面活性剂为二茂铁衍生物时, 则在液温为摄氏0至50度,阴电极之电动 势为-0.03至-5.0伏特,电流密度为1 至300微安培/平方公分之条件下,疏水 性物质薄膜于阴极上形成;或 当界面活性剂为二茂铁衍生物以外之化合 物时,则在液温为室温至摄氏100度,阴 极电动势为-0.5至-10.0伏特,电流密 度为50微安培/平方公分至100亳安培/ 平方公分之条件下,疏水性物质薄膜于阴 极上形成;其中载流盐浓度为0.05-1.0 莫耳/升,界面活性剂之浓度为0.05-5 毫莫耳/升。2.如申请专利范围第1项之制法,其中 界面 活性剂为含二茂铁衍生物之胶粒形成剂。3.如申 请专利范围第1项之制法,其中阴极 为铝。4.一种供电照相用光导体之制法,包括利用 HLB値10.0至20.0之界面活性剂将0.5- 15克/升之平均粒径不超过10微米之疏水 性物质粉末分散或溶解于水介质中,其中 疏水性物质粉末包括 花青,巴利精红 (paliogenred) K3580,立索猩红K3700 ,赫利精蓝(heliogen blue) K6902, 花青化铜,二 嵌苯类的颜料(k3580), 维尔罗根(viologen),CuPcCl8 Br8(L9361),苏丹Ⅰ,四苯紫菜硷-锌错 化合物,三苯胺,色淀颜料(k3700), 酚-AS,联葱 ,异二氢 酮,矽氧 烷,薰草素30, 啶酮,CdS,TiO2, 重氮化合物,二 ,丙烯酸,芋乙烯, 三甲胺,鲨烷;界面活性剂包括选自聚氧 化乙烯烷基醚、聚氧化乙烯脂肪酸酯或聚 氧化乙烯烷基苯基醚之非离子界面活性剂 或下列式二茂铁衍生物: (其中R1与R2各为不超过6个碳原子之 烷基;Y代表氧原子或氧化羰基;a为0 至4之整数,b为0至4之整数,m为1 至18之整数,n为2.0至70.0之实数); 及使用ITO(氧化铟与氧化锡之混合物) 、白金、金、银、玻璃碳、导电性金属氧 化物、导电性有机化合物作为阳极,接着 将所得之分散液或溶液以铝电极作为阴极 施以电处理,在铝电极上形成该疏水性物 质薄膜;当界面活性剂为二茂铁衍生物时 ,则在液温为摄氏0至50度,阴电极之电 动势为-0.03至-5.0伏特,电流密度为 1至300微安培/平方公分之条件下,疏 水性物质薄膜于阴极上形成;或 当面活性剂为二茂铁衍生物以外之化合物 时,则在液温为室温至摄氏100度,阴极 电动势为-0.5至-10.0伏特,电流密度 为50微安培/平方公分至100毫安培/平 方公分之条件下,疏水性物质薄膜于阴极 上形成;其中载流盐浓度为0.05-1.0莫 耳/升,界面活性剂之浓度为0.05-5毫 莫耳/升。 |
