| 主权项 |
1﹒一种供具有烯型双键之单体进行聚合反应所用之聚合物结垢防止剂,系由下述成份组成:(A)选自含氮苯衍生物,含氮衍生物,含氮多环芳族化合物,含氮、含氮杂环化合物、生物及含氮偶氮化合物之至少一种化合物;(B)选自阴离子苯衍生物,阴离子衍生物,阴离子多环芳族化合物,阴离子,阴离子杂环化合物及阴离子偶氮化合物之至少一种化合物;及(C)选自聚乙烯基咯烷酮,乙烯基咯烷酮/丙烯酸共聚物及乙烯者咯烷酮/醋酸乙烯酯共聚物之至少一种且其分子量介于2﹒000至2﹒000,000之聚合物。2﹒如申请专利范围第1项之聚合物结垢防止剂,其中,成份(B)之用量,对每100份重量之成份(A)而言,系介于0﹒1至1,000份重量之间;而成份(C)之用量,对每100份成份(A)与(B)之总重量而言,系介于0﹒1至1,000份重量之间者。3﹒如申请专利范围第1项之聚合物结垢防止剂,其中含有溶剂,用于使成分(A)(B)、及(C)溶解或分散而形成液态者。4﹒如申请专利范围第3项之聚合物结垢防止剂,其中成份(A)﹒(B)﹒及(C)之总浓度系介于0﹒001至15重量%之间者。5﹒﹒如申请专利范围第3项之聚合物结垢防止剂,其中之溶剂系为有机溶剂,或于其中含有0至30重量%之水者。6﹒﹒如申请专利范围第5项之聚合物结垢防止剂。其中之水含量系介于0至10重量%之间者。7﹒﹒如申请专利范围第3项之聚合物结垢防止剂,其中聚合物结垢防止剂之pH系大于7者。8﹒如申请专利范围第7项之聚合物结垢防止剂,其中之pH系为7﹒5或更高者。9﹒如申请专利范围第8项之聚合物结垢防止剂,其中之pH系为9﹒0或更高者。10﹒如申请专利范围第7项之聚合物结垢防止剂,其中含有机胺化合物者。11﹒﹒如申请专利范围第1项之聚合物结垢防止剂,其中该结垢防止剂系用以在聚合反应槽之内壁面及在反应期间会与单体接触之其他部分形成涂层者。12﹒如申请专利范围第1项之聚合物结垢防止剂,其中该结垢防止剂系用以在未反应单体之回收系统中会与未反应单体接触之部分形成涂层者。13﹒如申请专利范围第11或12项之聚合物结垢防止剂,其中该涂层在乾燥后之涂覆重量0﹒001克/平方米或以上者。14﹒一种由具有烯型双键之单体于聚合反应槽内进行聚合以制造聚合物之方法,包含在内壁表面涂有可防止聚合物结垢之涂层的一种聚合反应槽内进行该项聚合的步骤,其中该涂层系含有以下成份:(A)选自含氮苯衍生物,合氮衍生物,含氮多环乃族化合物,含氮、含氮杂环化合物、生物及含氮偶氮化合物之至少一种化合物;(n)选自阴离子苯衍生物,阴离子衍生物,阴离子多环芳族化合物,阴离子,阴离子杂环化合物及阴离子偶氮化合物之至少一种化合物;及(C)选自聚乙烯基咯烷酮,乙烯基咯烷酮/丙烯酸共聚物及乙烯者咯烷酮/醋酸乙烯酯共聚物之至少一种且其分子量介于2﹒000至2,000,000之聚合物。15﹒如申请专利范围第14项之方法,其中该聚合系以悬浮聚合、乳化聚合、溶液聚合、整体聚合、或气相聚合的方式进行者。16﹒如申请专利范围第14项之方法,其中该单体系选自:乙烯基卤;乙烯基酯;丙烯酸、甲其丙烯酸、及彼等之酯类与盐类;马来酸、富马酸、及彼等之酯与酐;二烯类单体;芳族乙烯基化合物;丙烯;经卤化之亚乙烯类;以及乙烯基醚者。 |
