| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
반도체 장치는 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 복수 개의 액티브 핀들(active fins), 액티브 핀들 상에 형성되어 제1 방향에 실질적으로 수직한 제2 방향으로 연장된 게이트 구조물, 및 게이트 구조물에 인접하도록 복수 개의 액티브 핀들 중 제1 액티브 핀들 상에 형성되고, 제2 방향으로 자른 단면의 적어도 일 측벽이 기판의 상면으로부터 수직 방향으로 높이가 증가함에 따라 기판 상면에 대한 기울기가 점차 감소하는 곡선 부분을 갖는 제1 소스/드레인 층을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160116423(A) |
申请公布日期 |
2016.10.10 |
| 申请号 |
KR20150044046 |
申请日期 |
2015.03.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, DONG WOO;MAEDA SHIGENOBU;CHOI, YOUNG MOON;KWON, YONG BUM;SOHN, CHANG WOO;LEE, DO SUN |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/49;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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