一种霍山石斛的种植方法

摘要

本发明提供了一种种植霍山石斛的种植方法，具体的说是利用一种特殊的装置进行种植霍山石斛的方法。所述种植方法采用一种多层种植装置，装置中空，在装置外壁上均设有透气孔。所述装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径。本发明所述的霍山石斛的种植方法，能够使得石斛能够向装置四周生长，充分接触空气，成株品相好，而且所述方法占地空间小，有效节省种植基质，具有重要的经济效益。

主权项

一种霍山石斛的种植方法，其特征在于：所述种植方法采用一种多层种植装置，所述装置中空，在装置外壁上均设有透气孔，装置底部直径为顶部直径的0.3~0.8倍，每层装置的高度相同且小于装置顶部的直径；所述种植方法包括：将石斛种植在种植盆内，在盆的周围均匀种植石斛，使得石斛能够从盆中向外伸出，向下悬挂生长。