| 摘要 |
効率が安定した光起電力素子を製造する方法、および該方法を実行するのに使用してもよい装置であって、例えば特別に対応した連続炉の形式の装置を提供する。これにより、エミッタ層および電気接点を備えるシリコン基板は安定化処理工程が施される。この工程において、例えば水素化窒化シリコン層からの水素は、例えば最大温度の領域（２）内でシリコン基板に導入される。その後シリコン基板は、水素の流出を避けるために、領域（３）内で合目的的に急速に冷却されてもよい。その後シリコン基板は、例えば領域（４）において、例えば少なくとも１０秒間、２３０℃〜４５０℃の温度範囲内で合目的的に維持されてもよい。これにより、先に導入された水素は、好都合な結合状態を呈することが可能である。同時にあるいはその後、再生は、少なくとも９０℃、好ましくは少なくとも２３０℃の温度で、基板内に過剰少数電荷キャリアを生成することによって行われてもよい。全体として、提案された方法によって、光起電力素子の製造における再生処理を、例えば、適切に修正された連続炉内で行われてもよいように、大幅に加速されてもよい。【選択図】図３ |
