发明名称 一种极紫外光学元件表面污染清洗装置及方法
摘要 本发明涉及极紫外光刻技术领域,具体公开一种极紫外光学元件表面清洗装置及清洗方法。本发明的极紫外光学元件表面清洗装置包括清洗腔体;设置于清洗腔体外两侧的进气口和出气口;设置于清洗腔体内的样品支撑调节台、紫外光发生装置、CO<sub>2</sub>浓度监控装置、O<sub>3</sub>浓度监控装置;还包括工作气体控制装置、控制电路以及控制终端。本发明清洗装置和清洗方法,能有效实现极紫外光学元件表面污染的彻底清洗,同时防止极紫外光学元件表面发生氧化,提高极紫外光学元件潜在的长期使用寿命;能够保证排出气体的安全性,降低清洗过程对实验室环境和实验人员安全健康的影响。
申请公布号 CN106238427A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201510963031.1 申请日期 2015.12.21
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 邓文渊;金春水;姚舜;喻波;靳京城
分类号 B08B11/00(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I 主分类号 B08B11/00(2006.01)I
代理机构 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人 郝明琴
主权项 一种极紫外光学元件表面清洗装置,其特征在于,所述清洗装置包括:清洗腔体;设置于所述清洗腔体外两侧的进气口和出气口;设置于所述清洗腔体内的样品支撑调节台、紫外光发生装置、CO<sub>2</sub>浓度监控装置、O<sub>3</sub>浓度监控装置;所述进气口用于通入工作气体;所述样品支撑调节台用于放置待清洗光学元件,并调整所述待清洗光学元件的位置;所述紫外光发生装置用于产生紫外光;所述CO<sub>2</sub>浓度监控装置用于监控清洗过程中所述清洗腔体内的CO<sub>2</sub>浓度;所述O<sub>3</sub>浓度监控装置用于监控清洗过程中所述清洗腔体内的O<sub>3</sub>浓度;所述清洗装置还包括工作气体控制装置、控制电路以及控制终端。
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