| 发明名称 |
FORMULATIONS TO SELECTIVELY ETCH SILICON AND GERMANIUM |
| 摘要 |
상부에 게르마늄-함유 물질 및 규소-함유 물질을 갖는 마이크로전자 장치로부터 게르마늄-함유 물질에 대해 규소-함유 물질을 선택적으로 제거하거나 이와 반대되게 작용하는데 유용한 조성물이 개시되어 있다. 상기 제거 조성물은 하나 이상의 다이올을 포함하며, 필요한 Si:Ge 제거 선택성 및 에칭 속도를 달성하도록 조정가능하다. |
| 申请公布号 |
KR20160104045(A) |
申请公布日期 |
2016.09.02 |
| 申请号 |
KR20167020710 |
申请日期 |
2014.12.29 |
| 申请人 |
ENTEGRIS, INC. |
发明人 |
BILODEAU STEVEN;COOPER EMANUEL I. |
| 分类号 |
H01L21/306;H01L21/02;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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