发明名称 |
一种同侧馈电的全向双圆极化天线 |
摘要 |
本发明提供了一种同侧馈电的全向双圆极化天线,包括:辐射结构、类同轴阻抗匹配结构、射频激励转换T型连接结构,所述类同轴阻抗匹配结构分为上类同轴阻抗匹配结构和下类同轴阻抗匹配结构,所述辐射结构的上、下端分别连接上类同轴阻抗匹配结构的下端和下类同轴阻抗匹配结构的上端,上类同轴阻抗匹配结构的上端用金属圆片封闭,下类同轴阻抗匹配结构的下端连接射频激励转换T型连接结构,射频激励转换T型连接结构的接口能够直接采用SMA接头馈线进行射频激励。本发明全向性能以及轴比性能良好,具有一定工作带宽,‑10dB带宽600M(5.2GHz‑5.8GHz),带内增益大于5.2dB,最高达6.7dB。 |
申请公布号 |
CN106229635A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610634955.1 |
申请日期 |
2016.08.04 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
陈胡冠申;耿军平;梁仙灵;金荣洪 |
分类号 |
H01Q1/36(2006.01)I;H01Q5/28(2015.01)I |
主分类号 |
H01Q1/36(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
郭国中;樊昕 |
主权项 |
一种同侧馈电的全向双圆极化天线,其特征在于,包括:辐射结构、类同轴阻抗匹配结构、射频激励转换T型连接结构,所述类同轴阻抗匹配结构分为上类同轴阻抗匹配结构和下类同轴阻抗匹配结构,所述辐射结构的上、下端分别连接上类同轴阻抗匹配结构的下端和下类同轴阻抗匹配结构的上端,上类同轴阻抗匹配结构的上端用金属圆片封闭,下类同轴阻抗匹配结构的下端连接射频激励转换T型连接结构,射频激励转换T型连接结构的接口能够直接采用SMA接头馈线进行射频激励。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |