一种TFT基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种TFT基板的制作方法。该方法采用半色调光罩或灰色调光罩作为第三道光罩，对保护层和像素电极层进行光刻，去除在欲形成过孔的位置处的光阻，使得保护层的表面裸露出来，以及使得在欲形成像素电极的位置处的光阻具有较薄的厚度和在欲形成槽状图形的位置处的光阻具有较厚的厚度，接着通过灰化处理去除部分光阻，然后在剩余光阻和其它各层的裸露表面上覆盖半导体透明导电膜，最后剥离剩余光阻及其上沉积的半导体透明导电膜，从而使得剩余的半导体透明导电膜形成具有槽状图形的像素电极，并与源漏极形成电性连接。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在基板上沉积第一金属层，利用第一道光罩图案化第一金属层，使其形成栅极；步骤二，在基板上沉积栅极绝缘层，使其覆盖基板和基板上的栅极；步骤三，在栅极绝缘层上沉积半导体层和第二金属层，利用第二道光罩图案化半导体层和第二金属层，使其分别形成半导体区和源漏极；步骤四，在栅极绝缘层上沉积保护层，使其覆盖栅极绝缘层以及栅极绝缘层上方的半导体区和源漏极；步骤五，在保护层上沉积光阻层，利用第三道光罩图案化光阻层，以去除欲形成过孔的位置处的光阻，使得保护层的表面裸露出来，以及使得欲形成像素电极的位置处的光阻具有较薄的厚度和欲形成槽状图形的位置处的光阻具有较厚的厚度；步骤六，去除欲形成过孔的位置处的保护层，形成过孔，使得源漏极的表面裸露出来，以便之后能够与像素电极形成电性连接；步骤七，对光阻层进行灰化处理，使得光阻层的膜厚较薄的部分消失和膜厚较厚的部分变薄；步骤八，在残留的光阻层以及其它各层的暴露的表面上沉积半导体透明导电膜；步骤九，去除残留的光阻层以及其上沉积的半导体透明导电膜，从而使得剩余的半导体透明导电膜形成具有槽状图形的像素电极，并与源漏极形成电性连接。