| 发明名称 | 一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片 | ||
| 摘要 | 一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。其特征在于：在外延层（5）的表面设置有多个沟槽，沟槽的内表面形成氧化层，在沟槽内填充有多晶硅（1），多晶硅（1）的表面刻蚀到与沟槽上边等高的位置，在多晶硅（1）以及外延层（5）的上部形成肖特基界面（3）；所述的沟槽内表面的氧化层包括位于沟槽侧壁上部的沟槽侧部氧化层（4）和位于沟槽侧部下部以及沟槽底部的沟槽底部氧化层（2），其中沟槽底部氧化层（2）的厚度不等于沟槽侧部氧化层（4）的厚度。通过本厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片，同时兼顾了芯片的耐压能力以及正向压降，同时不会导致芯片整体体积增加。 | ||
| 申请公布号 | CN205810824U | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201620603546.0 | 申请日期 | 2016.06.20 |
| 申请人 | 淄博汉林半导体有限公司 | 发明人 | 关仕汉 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人 | 孙爱华 |
| 主权项 | 一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片，其特征在于：在外延层（5）的表面设置有多个沟槽，沟槽的内表面形成氧化层，在沟槽内填充有多晶硅（1），多晶硅（1）的表面刻蚀到与沟槽上边等高的位置，在多晶硅（1）以及外延层（5）的上部形成肖特基界面（3）；所述的沟槽内表面的氧化层包括位于沟槽侧壁上部的沟槽侧部氧化层（4）和位于沟槽侧部下部以及沟槽底部的沟槽底部氧化层（2），其中沟槽底部氧化层（2）的厚度不等于沟槽侧部氧化层（4）的厚度。 | ||
| 地址 | 255086 山东省淄博市高新技术产业开发区政通路135号高科技创业园C416室 | ||