| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管的源极和漏极分别由第一金属层、第二金属层、第三金属层，第一金属层与铟镓锌氧化物层相接触，在第一金属层和铟镓锌氧化物层接触面处设置有金属扩散层。本发明同时提出了该薄膜晶体管的制造方法，依次沉积得到第一金属层、第二金属层、第三金属层，基于CVD方式沉积得到PV层，对PV层进行高温退火处理，使得第一金属层中的金属扩散到铟镓锌氧化物层形成金属扩散层，该金属扩散层使得第一金属层和铟镓锌氧化物层形成欧姆接触，使得界面的空乏区变窄，电子有更多的机会直穿隧。 | ||
| 申请公布号 | CN106229260A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610793911.3 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 石龙强 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 王浩 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，由内向外依次设置栅极层(6)、栅绝缘层(5)、铟镓锌氧化物层(4)、源极和漏极，其特征在于，在源极和漏极分别由内向外依次设置有第一金属层(13)、第二金属层(12)和第三金属层(11)，其中，所述第一金属层(13)与所述铟镓锌氧化物层(4)接触。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||