| 发明名称 | 一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液及其低温刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化还原电位为630‑680mv。本发明是采用低酸的刻蚀药水配方和低温的刻蚀方法，刻蚀环境温和，有利于更好的保持石墨烯的完整和导电性能，从而实现石墨烯稳定的规模化制备和后续应用。 | ||
| 申请公布号 | CN106222660A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610463014.6 | 申请日期 | 2016.06.23 |
| 申请人 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 发明人 | 张洪涛;王炜;谭化兵 |
| 分类号 | C23F1/16(2006.01)I;C23F1/30(2006.01)I;C23F1/28(2006.01)I;C23F1/18(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人 | 艾娟 |
| 主权项 | 一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，其特征在于：盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化还原电位为630‑680mv。 | ||
| 地址 | 214174 江苏省无锡市无锡惠山经济开发区长安工业园标准厂房中惠路518-5号 | ||