发明名称 |
一种高导电率的沟槽式肖特基芯片 |
摘要 |
一种高导电率的沟槽式肖特基芯片,属于半导体制造领域。其特征在于:其特征在于:包括外延层(4),在外延层(4)的表面设置有多个沟槽,在沟槽的侧壁下部以及沟槽的底部设置有沟槽底部氧化层(3),在沟槽底部氧化层(3)内部填充有多晶硅(2),在外延层(4)的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅(2)的上表面上设置有肖特基界面(1)。通过本高导电率的沟槽式肖特基芯片,在相同芯片面积的前提下,兼顾了芯片的耐压能力以及正向压降,同时提高了肖特基芯片的导电面积。 |
申请公布号 |
CN205810825U |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201620604016.8 |
申请日期 |
2016.06.20 |
申请人 |
淄博汉林半导体有限公司 |
发明人 |
关仕汉 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
淄博佳和专利代理事务所 37223 |
代理人 |
孙爱华 |
主权项 |
一种高导电率的沟槽式肖特基芯片,其特征在于:包括外延层(4),在外延层(4)的表面设置有多个沟槽,在沟槽的侧壁下部以及沟槽的底部设置有沟槽底部氧化层(3),在沟槽底部氧化层(3)内部填充有多晶硅(2),在外延层(4)的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅(2)的上表面上设置有肖特基界面(1)。 |
地址 |
255086 山东省淄博市高新技术产业开发区政通路135号高科技创业园C416室 |