发明名称 |
AMOLED驱动电路结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种AMOLED驱动电路结构及其制作方法,通过增大栅极保护层在寄生电容区的厚度,来减少AMOLED驱动电路中的寄生电容,包括AMOLED驱动电路中的薄膜晶体管的寄生电容及布线寄生电容,进而减少寄生电容对AMOLED驱动电路性能的影响,尤其是对带补偿功能的AMOLED驱动电路的补偿功能的影响,提升AMOLED显示器件的性能。 |
申请公布号 |
CN106205492A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610823018.0 |
申请日期 |
2016.09.13 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
韩佰祥 |
分类号 |
G09G3/3225(2016.01)I |
主分类号 |
G09G3/3225(2016.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种AMOLED驱动电路结构,其特征在于,包括:基板(1)、设于所述基板(1)上的图案化的第一金属层(2)、覆盖所述第一金属层(2)和基板(1)上的栅极保护层(3)、设于所述栅极保护层(3)上的有源层(4)、覆盖所述有源层(4)和栅极保护层(3)的刻蚀阻挡层(5)、设于所述刻蚀阻挡层(5)上的图案化的第二金属层(6);所述第一金属层(2)与所述第二金属层(6)在空间上交叠的区域为寄生电容区,所述栅极保护层(3)在寄生电容区内的厚度大于其在所述寄生电容区外的厚度。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |