半导体装置的绝缘膜之形成方法

摘要

本发明旨在提供一种半导体装置的制造方法，其可以使闸极绝缘膜中不存在令其膜质劣化的杂质。为达成前述目的，本发明藉由重复进行多次厚度0.3~2nm范围的绝缘膜4的成长步骤11与上述绝缘膜中杂质的去除步骤12来得到特定厚度的绝缘膜4。