发明名称 フラッシュメモリ装置のメモリセルを読み出す方法
摘要 In one embodiment, the method for reading memory cells in an array of non-volatile memory cells includes reading data from a memory cell using a set of hard decision voltages and at least a first set of soft decision voltages based on a single read command.
申请公布号 JP6037373(B2) 申请公布日期 2016.12.07
申请号 JP20110256290 申请日期 2011.11.24
申请人 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 发明人 尹 翔▲ヨン▼;朴 起台;孫 弘楽
分类号 G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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