发明名称 |
一种恢复Nand Flash错误数据的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种恢复Nand Flash错误数据的方法,其特征在于通过扫描不同相邻单元分布模式下各个存储单元的电压分布,将具有相同或近似电压分布的归类为同一类别的同邻态,对多个类别的同邻态分别采用步进电压扫描法获得同邻态的最佳判断电压;通过分析待恢复存储单元的相邻存储单元的电压分布,判断属于哪个类别同邻态,采用所在同邻态的存储单元的最佳判断电压读取该存储单元数据,实现错误数据恢复。通过将存储单元分类为不同的同邻态,并基于不同同邻态的最佳判断电压分别读取其数据,然后将各自数据合并得到整体存储数据。显然基于各自同邻态优化后的判断电压所读取数据的正确性都会优于常规方法,整合后的数据的正确性将得到明显改善。 |
申请公布号 |
CN106205720A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610527846.X |
申请日期 |
2016.07.06 |
申请人 |
记忆科技(深圳)有限公司 |
发明人 |
印中举 |
分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
广东广和律师事务所 44298 |
代理人 |
叶新民 |
主权项 |
一种恢复Nand Flash错误数据的方法,其特征在于通过扫描不同相邻单元分布模式下各个存储单元的电压分布,将具有相同或近似电压分布的存储单元标归类为同一类别的同邻态,Nand Flash中各个存储单元分类为多个类别的同邻态,对多个类别的同邻态分别采用步进电压扫描法获得各个类别的同邻态的存储单元的最佳判断电压;通过分析待恢复存储单元的相邻存储单元的电压分布,判断该待恢复存储单元属于哪个类别同邻态,采用所在同邻态的存储单元的最佳判断电压读取该存储单元数据,实现错误数据恢复。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F |