| 摘要 |
【課題】金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。【解決手段】基板１０１上に設けられ、ゲート電極としても機能する配線１０２ａと、配線１０２ａ上に設けられ、配線１０２ａと略同形状で、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁膜１０３ａと、絶縁膜１０３ａ上に設けられた酸化物半導体等よりなる半導体層１０４ａと、半導体層１０４ａ上に設けられた厚さが、絶縁膜１０３ａの厚さと半導体層１０４ａの厚さの和の５倍以上もしくは１００ｎｍ以上の酸化物絶縁層１０５と、酸化物絶縁層１０５に設けられた開口部を通して、半導体層に接続する配線１０７ａ、１０７ｂとを有する電界効果トランジスタ。【選択図】図１ |
