ヒューズ素子及びその製造方法

摘要

リフローにより表面実装でき、かつ電流をより確実に遮断することができる、ヒューズ素子を提供する。基板（２）と、基板（２）上に設けられた導体配線（１３）と、導体配線（１３）の一部を直接または間接的に覆うように設けられており、導体配線（１３）よりも融点が低く、融液となって導体配線（１３）を溶解させて溶断部を形成する低融点金属層（２０，２１）とを備え、低融点金属層（２０，２１）が純ＢｉもしくはＢｉを８０重量％以上含むＢｉ基合金からなる、ヒューズ素子（１）。