| 摘要 |
【課題】リーク電流を抑制しつつ、オン抵抗の増大を抑制する。【解決手段】半導体層１０は、底面ＢＳおよび側壁ＳＷを有するトレンチ領域ＲＴと、トレンチ領域ＲＴの外の非トレンチ領域ＲＮと、を有する一の面ＳＦを含んでいる。半導体層１０は、第１の導電型を有する第１の部分１１と、第１の導電型と異なる第２の導電型を有し、トレンチ領域ＲＴおよび非トレンチ領域ＲＮの各々に配置された第２の部分１２と、を含んでいる。ショットキー電極２０は、半導体層１０の一の面ＳＦ上に設けられており、第１の部分１１にショットキー接合された部分と第２の部分１２に接合された部分とを含んでいる。半導体層１０の第１の部分１１は、側壁ＳＷのうち底面ＢＳへとつながる端部ＥＢをなしている。【選択図】図２ |
